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1. WO2020110484 - CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/110484
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/040375
Date du dépôt international 15.10.2019
CIB
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
CPC
H04N 5/353
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
353Control of the integration time
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 朱 弘博 ZHU, Hongbo
Mandataires
  • 丸島 敏一 MARUSHIMA, Toshikazu
Données relatives à la priorité
2018-22347729.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR, IMAGING DEVICE, AND CONTROL METHOD OF SOLID-STATE IMAGE SENSOR
(FR) CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
Abrégé
(EN)
To provide a solid-state image sensor that detects the presence or absence of an address event and further images an image. The solid-state image sensor includes a detection pixel and a counting pixel. The detection pixel in the solid-state image sensor detects whether a predetermined address event has occurred on the basis of whether a variation of the incident light amount exceeds a predetermined threshold. In addition, when the address event has occurred, the counting pixel in the solid-state image sensor counts the number of incident photons in a predetermined exposure period and outputs a pixel signal indicating the count value.
(FR)
L'invention concerne un capteur d'image à semi-conducteurs qui détecte la présence ou l'absence d'un événement d'adresse et qui de plus image une image. Le capteur d'image à semi-conducteurs comprend un pixel de détection et un pixel de comptage. Le pixel de détection dans le capteur d'image à semi-conducteurs détecte si un événement d'adresse prédéterminé s'est produit basé sur le fait qu'une variation de la quantité de lumière incidente dépasse un seuil prédéterminé. De plus, lorsque l'événement d'adresse s'est produit, le pixel de comptage dans le capteur d'image à semi-conducteurs compte le nombre de photons incidents dans une période d'exposition prédéterminée et délivre un signal de pixel indiquant la valeur de comptage.
(JA)
アドレスイベントの有無を検出する固体撮像素子において、さらに画像を撮像する。 固体撮像素子は、検出画素および計数画素を具備する。この固体撮像素子において検出画素は、入射光量の変化量が所定の閾値を超えるか否かにより所定のアドレスイベントが生じたか否かを検出する。また、固体撮像素子において計数画素は、アドレスイベントが生じた場合には所定の露光期間内に入射された光子数を計数して計数値を示す画素信号を出力する。
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