Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020110313 - FIL DE MÉTALLISATION EN CUIVRE REVÊTU DE PALLADIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/110313
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044294
Date du dépôt international 30.11.2018
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
CPC
C22C 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
C22C 9/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
9Alloys based on copper
06with nickel or cobalt as the next major constituent
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
Déposants
  • 田中電子工業株式会社 TANAKA DENSHI KOGYO K. K. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 天野 裕之 AMANO Hiroyuki
  • 安徳 優希 ANTOKU Yuki
  • 桑原 岳 KUWAHARA Takeshi
Mandataires
  • 特許業務法人サクラ国際特許事務所 SAKURA PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2018-22057026.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PALLADIUM-COATED COPPER BONDING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FIL DE MÉTALLISATION EN CUIVRE REVÊTU DE PALLADIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a palladium-coated copper bonding wire which does not undergo the formation of shrinkage cavities during a first bonding procedure, has high bonding reliability, and can keep the excellent bonding reliability thereof for a long period of time even in high-temperature/high-humidity environments. A palladium-coated copper bonding wire, in which the concentration of palladium is 1.0 to 4.0% by mass inclusive, the total concentration of sulfur-group elements is 50 ppm by mass or less, and the concentration of sulfur is 5 to 12 ppm by mass inclusive or the concentration of selenium is 5 to 20 ppm by mass inclusive or the concentration of tellurium is 15 to 50 ppm by mass inclusive all relative to the total amount of copper, palladium and sulfur-group elements, and a palladium-rich region having an average palladium concentration of 6.5 to 30.0 at.% relative to the total amount of copper and palladium exists in a region lying between the surface of a tip part of a free air ball formed at a tip of the wire to the depth of 5.0 to 100.0 nm inclusive from the surface of the tip part.
(FR)
L'invention concerne un fil de métallisation en cuivre revêtu de palladium qui n'est pas sujet à la formation de retassures au cours d'une première opération de liaison, qui présente une fiabilité de liaison élevée, et dont l'excellente fiabilité de liaison peut être conservée sur une longue période de temps même dans des environnements à haute température/humidité élevée. Selon l'invention, dans un fil de métallisation en cuivre revêtu de palladium, la concentration de palladium est de 1,0 à 4,0 % en poids inclus, la concentration totale d'éléments du groupe soufre est inférieure ou égale à 50 ppm en poids, et la concentration de soufre est de 5 à 12 ppm en poids inclus ou la concentration de sélénium est de 5 à 20 ppm en poids inclus ou la concentration de tellure est de 15 à 50 ppm en poids inclus par rapport à la quantité totale de cuivre, de palladium et d'éléments du groupe soufre, et une région riche en palladium présentant une concentration de palladium moyenne de 6,5 à 30,0 % at. par rapport à la quantité totale de cuivre et de palladium existe dans une région s'étendant entre la surface d'une partie pointe d'une bille à air libre formée au niveau d'une pointe du fil à une profondeur de 5,0 à 100,0 nm inclus par rapport à la surface de la partie pointe.
(JA)
第一接合時に引け巣が生じず、接合信頼性が高く、高温、高湿の環境においても長期間優れた接合信頼性を維持することのできるパラジウム被覆銅ボンディングワイヤを提供する。銅とパラジウムと硫黄族元素の合計に対して、パラジウムの濃度が1.0質量%以上4.0質量%以下、硫黄族元素濃度が合計で50質量ppm以下であり、硫黄濃度が5質量ppm以上12質量ppm以下であるか、セレン濃度が5質量ppm以上20質量ppm以下であるか又はテルル濃度が15質量ppm以上50質量ppm以下であって、ワイヤ先端に形成されるフリーエアーボールの先端部表面から5.0nm以上100.0nm以下の範囲内に、銅とパラジウムの合計に対して、パラジウムの濃度が平均6.5原子%以上30.0原子%以下となるパラジウム濃化領域を有するパラジウム被覆銅ボンディングワイヤ。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international