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1. WO2020110299 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/110299
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044221
Date du dépôt international 30.11.2018
CIB
H01L 21/338 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
338à grille Schottky
H01L 29/812 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812à grille Schottky
CPC
H01L 29/812
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
80with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate ; , i.e. potential-jump barrier
812with a Schottky gate
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 山口 裕太郎 YAMAGUCHI, Yutaro
  • 大塚 友絢 OTSUKA, Tomohiro
  • 半谷 政毅 HANGAI, Masatake
  • 新庄 真太郎 SHINJO, Shintaro
Mandataires
  • 田澤 英昭 TAZAWA, Hideaki
  • 濱田 初音 HAMADA, Hatsune
  • 中島 成 NAKASHIMA, Nari
  • 坂元 辰哉 SAKAMOTO, Tatsuya
  • 辻岡 将昭 TSUJIOKA, Masaaki
  • 井上 和真 INOUE, Kazuma
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor device comprising a plurality of gate fingers (2-1 - 2-8) extending symmetrically from both sides of a gate connection part (2a-1 - 2a-3), a drain electrode (3-1, 3-2) adjacent to both of the gate fingers (2-1 - 2-8) extending from both sides of the gate connection part (2a-1 - 2a-3), and a plurality of source electrodes (4-1 - 4-6) adjacent to the gate fingers (2-1 - 2-8) extending from both sides of the gate connection part (2a-1 - 2a-3), wherein a gate air bridge (8-1 - 8-3) connects the gate connection part (2a-1 - 2a-3) to a gate routing line (6) over a source electrode (4-2, 4-4, 4-6).
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comprenant une pluralité de doigts de grille (2-1 - 2-8) partant symétriquement des deux côtés d'une partie de connexion de grille (2a-1 - 2a3), une électrode drain (3-1, 3-2) adjacente aux deux doigts de grille (2-1 - 2-8) partant des deux côtés de la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a-3), et une pluralité d'électrodes source (4-1 - 4-6) adjacentes aux doigts de grille (2-1 - 2-8) partant des deux côtés de la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a-3), un pont aérien de grille (8-1 - 8-3) connectant la partie de connexion de grille (2a-1 - 2a3) à une ligne de routage de grille (6) au-dessus d'une électrode source (4-2, 4-4, 4-6).
(JA)
ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から対称的に延びた複数のゲートフィンガー(2-1~2-8)と、ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から延びたゲートフィンガー(2-1~2-8)の両方に隣接しているドレイン電極(3-1,3-2)と、ゲート接続部(2a-1~2a-3)の両側から延びたゲートフィンガー(2-1~2-8)に個々に隣接している複数のソース電極(4-1~4-6)とを備え、ゲートエアブリッジ(8-1~8-3)が、ソース電極(4-2,4-4,4-6)を跨いでゲート接続部(2a-1~2a-3)とゲート引き回し線路(6)とを接続している。
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