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1. WO2020110271 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OBJET COLLÉ ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PÂTE DE COLLAGE DE CUIVRE

Numéro de publication WO/2020/110271
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/044068
Date du dépôt international 29.11.2018
CIB
C23C 20/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
20Revêtement chimique par décomposition soit de composés solides, soit de suspensions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement
02Revêtement avec des matériaux métalliques
04avec des éléments métalliques
H01L 21/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
CPC
C23C 20/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
20Chemical coating by decomposition of either solid compounds or suspensions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating
02Coating with metallic material
04with metals
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
Déposants
  • 日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 川名 祐貴 KAWANA Yuki
  • 中子 偉夫 NAKAKO Hideo
  • 根岸 征央 NEGISHI Motohiro
  • 須鎌 千絵 SUGAMA Chie
  • 江尻 芳則 EJIRI Yoshinori
  • 谷中 勇一 YANAKA Yuichi
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 清水 義憲 SHIMIZU Yoshinori
  • 平野 裕之 HIRANO Hiroyuki
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING BONDED OBJECT AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND COPPER BONDING PASTE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'OBJET COLLÉ ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PÂTE DE COLLAGE DE CUIVRE
(JA) 接合体及び半導体装置の製造方法、並びに接合用銅ペースト
Abrégé
(EN)
An embodiment of the present invention provides a method for producing a bonded object wherein: the method comprises a step for preparing a laminate in which a first member, a copper bonding paste, and a second member are laminated in said order and a step for sintering the copper bonding paste under a pressure of 0.1-1 MPa; the copper bonding paste contains metal particles and a dispersion medium; the content of metal particles is at least 50 mass% with respect to the total mass of the copper bonding paste; and the metal particles contain at least 95 mass% of submicro copper particles with respect to the total mass of the metal particles.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un objet collé, ledit procédé comprenant une étape de préparation d'un stratifié dans laquelle un premier élément, une pâte de collage de cuivre, et un second élément sont stratifiés dans cet ordre, et une étape de frittage de la pâte de collage de cuivre sous une pression de 0,1-1 MPa ; la pâte de collage de cuivre contient des particules métalliques et un milieu de dispersion ; la teneur en particules métalliques est d'au moins 50% en masse rapporté à la masse totale de la pâte de collage de cuivre ; et les particules métalliques contiennent au moins 95% en masse de particules de sous-micro cuivre rapporté à la masse totale des particules métalliques.
(JA)
本発明の一態様は、第一の部材、接合用銅ペースト、及び第二の部材がこの順に積層されている積層体を用意する工程と、接合用銅ペーストを、0.1~1MPaの圧力を受けた状態で焼結する工程と、を備え、接合用銅ペーストは、金属粒子及び分散媒を含有し、金属粒子の含有量が、接合用銅ペーストの全質量を基準として、50質量%以上であり、金属粒子が、前記金属粒子の全質量を基準として、95質量%以上のサブマイクロ銅粒子を含有する、接合体の製造方法を提供する。
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