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1. WO2020109717 - DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS l'ULTRAVIOLET SUR LAQUELLE EST AGENCE UN DISPOSITIF OPTIQUE

Numéro de publication WO/2020/109717
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/FR2019/052810
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 33/56 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
56Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/50 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50Éléments de conversion de la longueur d'onde
CPC
H01L 33/501
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
H01L 33/502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
501characterised by the materials, e.g. binder
502Wavelength conversion materials
H01L 33/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
H01L 33/58
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
58Optical field-shaping elements
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR]
Inventeurs
  • VAUFREY, David
  • DESIERES, Yohan
Mandataires
  • GRIS, Sébastien
  • DUPONT, Jean-Baptiste
  • COLOMBO, Michel
Données relatives à la priorité
187215430.11.2018FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING AN ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING DIODE, ON WHICH AN OPTICAL DEVICE IS ARRANGED
(FR) DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODE ELECTROLUMINESCENTE EMETTANT DANS l'ULTRAVIOLET SUR LAQUELLE EST AGENCE UN DISPOSITIF OPTIQUE
Abrégé
(EN)
The invention relates to an optoelectronic device (100) comprising a light-emitting diode (101) configured to emit electromagnetic radiation according to an emission wavelength of the light-emitting diode (101) included in the ultraviolet. The optoelectronic device (100) comprises an optical device (102) configured to extract photons generated by the light-emitting diode (101), said optical device (102) being arranged on an emission face (103) of the light-emitting diode (101), said optical device (102) comprising particles transparent to the emission wavelength of the light-emitting diode (101). The optical device (102) has conversion particles configured to emit, by converting a portion of the electromagnetic radiation emitted by the light-emitting diode (101), electromagnetic radiation according to an emission wavelength of the conversion particles included in the ultraviolet and strictly higher than the emission wavelength of the light-emitting diode (101).
(FR)
Le dispositif optoélectronique (100) comporte une diode électroluminescente (101) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101) comprise dans l'ultraviolet. Le dispositif optoélectronique (100) comporte un dispositif optique (102) configuré pour extraire des photons générés par la diode électroluminescente (101), ledit dispositif optique (102) étant agencé sur une face d'émission (103) de la diode électroluminescente (101), ledit dispositif optique (102) comportant des particules transparentes à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101). Le dispositif optique (102) comporte des particules de conversion configurées de sorte à émettre, par conversion d'une partie du rayonnement électromagnétique émis par la diode électroluminescente (101), un rayonnement électromagnétique selon une longueur d'onde d'émission des particules de conversion comprise dans l'ultraviolet et strictement supérieure à la longueur d'onde d'émission de la diode électroluminescente (101).
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