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1. WO2020109333 - PROCEDE DE DETERMINATION D'UNE RESISTANCE CARREE D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR APRES IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA ET RECUIT THERMIQUE

Numéro de publication WO/2020/109333
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/082633
Date du dépôt international 26.11.2019
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 14/48 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
48Implantation d'ions
CPC
H01J 37/32412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32412Plasma immersion ion implantation
H01L 22/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
14for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
H01L 31/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
Inventeurs
  • LANTERNE, Adeline
  • DUBOIS, Sébastien
Mandataires
  • GROUPEMENT CAMUS LEBKIRI
Données relatives à la priorité
187184226.11.2018FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DETERMINING A SHEET RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AFTER PLASMA-IMMERSION ION IMPLANTATION AND THERMAL ANNEALING
(FR) PROCEDE DE DETERMINATION D'UNE RESISTANCE CARREE D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR APRES IMPLANTATION IONIQUE PAR IMMERSION PLASMA ET RECUIT THERMIQUE
Abrégé
(EN)
One aspect of the invention relates to a method for determining a sheet resistance of a semiconductor substrate after plasma-immersion ion implantation and thermal annealing, by means of a reflectance of the semiconductor substrate after its plasma-immersion ion implantation and before its thermal annealing, and of a lookup table indexing reflectance before thermal annealing and sheet resistance after thermal annealing.
(FR)
Un aspect de l'invention concerne un procédé de détermination d'une résistance carrée d'un substrat semiconducteur après implantation ionique par immersion plasma et recuit thermique, au moyen d'un facteur de réflexion du substrat semiconducteur après son implantation ionique par immersion plasma et avant son recuit thermique, et d'une table de correspondance entre facteur de réflexion avant recuit thermique et résistance carrée après recuit thermique.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international