Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020109019 - ENSEMBLE CAPTEUR CONTENANT UN ÉLÉMENT STRUCTURAL SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NANOPARTICULES À JONCTION P-N

Numéro de publication WO/2020/109019
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/081357
Date du dépôt international 14.11.2019
CIB
G01N 27/12 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02en recherchant l'impédance
04en recherchant la résistance
12d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G01N 27/414 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
H01L 29/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
H01L 29/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
B82Y 15/00 2011.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
15Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 15/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
15Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
G01N 27/127
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
02by investigating the impedance of the material
04by investigating resistance
12of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid ; , for detecting components in the fluid
125Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
127comprising nanoparticles
G01N 27/129
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
02by investigating the impedance of the material
04by investigating resistance
12of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid ; , for detecting components in the fluid
129Diode type sensors, e.g. gas sensitive Schottky diodes
G01N 27/4146
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4146involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
H01L 29/0665
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0657characterised by the shape of the body
0665the shape of the body defining a nanostructure
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE]
Inventeurs
  • KLUMPP, Armin
Mandataires
  • SCHENK, Markus
  • ZIMMERMANN, Tankred
  • STÖCKELER, Ferdinand
  • ZINKLER, Franz
  • BURGER, Markus
  • HERSINA, Günter
  • KÖNIG, Andreas
  • SCHAIRER, Oliver
  • PFITZNER, Hannes
  • SCHLENKER, Julian
Données relatives à la priorité
18208574.627.11.2018EP
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) SENSORANORDNUNG BEINHALTEND EIN NANOPARTIKELBASIERTES HALBLEITER-STRUKTURELEMENT MIT EINEM PN-ÜBERGANG
(EN) SENSOR ARRANGEMENT CONTAINING A NANOPARTICLE-BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURAL ELEMENT HAVING A PN JUNCTION
(FR) ENSEMBLE CAPTEUR CONTENANT UN ÉLÉMENT STRUCTURAL SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE NANOPARTICULES À JONCTION P-N
Abrégé
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Sensoranordnung (60) mit einem nanopartikelbasierten Halbleiter-Strukturelement (10) mit einer ersten Nanopartikelstruktur (11) mit einer Vielzahl von ersten Nanopartikeln (11 1, 11 2, 11 3 ) und einer zweiten Nanopartikelstruktur (12) mit einer Vielzahl von zweiten Nanopartikeln (12 1, 12 2, 12 3 ). Die erste Nanopartikelstruktur (11) und die zweite Nanopartikelstruktur (12) sind direkt aneinander angrenzend angeordnet, sodass zumindest ein Teil der ersten Nanopartikel (11 1, 11 2, 11 3 ) und zumindest ein Teil der zweiten Nanopartikel (12 1, 12 2 , 12 s ) in direktem Kontakt miteinander sind, wobei sich an den jeweiligen Kontaktpunkten von ersten und zweiten Nanopartikeln (11 1, 11 2, 11 3, 12 i, 12 2, 12s) ein p-n-Übergang mit einer vorbestimmten Raumladungszone ausbildet.
(EN)
The present invention relates to a sensor arrangement (60) having a nanoparticle-based semiconductor structural element (10) having a first nanoparticle structure (11) with a plurality of first nanoparticles (11 1, 11 2, 11 3) and a second nanoparticle structure (12) with a plurality of second nanoparticles (12 1, 12 2, 12 3). The first nanoparticle structure (11) and the second nanoparticle structure (12) are arranged directly adjacent to each other, such that at least one part of the first nanoparticle (11 1, 11 2, 11 3) and at least one part of the second nanoparticle (12 1, 12 2 , 12 s) are in direct contact with each other, wherein, on the respective contact points of the first and second nanoparticles (11 1, 11 2, 11 3, 12 i, 12 2, 12s) a p-n junction is formed having a predetermined space charge zone.
(FR)
La présente invention concerne un ensemble capteur (60) contenant un élément structural semi-conducteur à base de nanoparticules (10) présentant une première structure nanoparticulaire (11) comprenant une pluralité de premières nanoparticules (11 1, 11 2, 11 3 ) et une deuxième structure nanoparticulaire (12) comprenant une pluralité de deuxièmes nanoparticules (12 1, 12 2, 12 3 ). La première structure nanoparticulaire (11) et la deuxième structure nanoparticulaire (12) sont disposées de manière directement adjacente de sorte qu’au moins une partie des premières nanoparticules ((11 1, 11 2, 11 3 ) et au moins une partie des deuxièmes nanoparticules (12 1, 12 2 , 12 s ) sont directement en contact les unes avec les autres, une jonction p-n comportant une zone de charge d’espace prédéfinie se formant au niveau des points de contact respectifs des premières et des deuxièmes nanoparticules (11 1, 11 2, 11 3, 12 i, 12 2, 12s).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international