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1. WO2020108902 - PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UN MOTIF DE DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS SUR LA BASE DE LA FABRICABILITÉ

Numéro de publication WO/2020/108902
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/079562
Date du dépôt international 29.10.2019
CIB
G03F 1/36 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
36Masques à correction d'effets de proximité; Leur préparation, p.ex. procédés de conception à correction d'effets de proximité
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
G03F 7/70441
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
70441Optical proximity correction
Déposants
  • ASML NETHERLANDS B.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • BISWAS, Roshni
  • HOWELL, Rafael C.
  • ZHANG, Cuiping
  • JIA, Ningning
  • LIU, Jingjing
  • ZHANG, Quan
Mandataires
  • PETERS, John Antoine
Données relatives à la priorité
62/773,47530.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DETERMINING PATTERNING DEVICE PATTERN BASED ON MANUFACTURABILITY
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UN MOTIF DE DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIFS SUR LA BASE DE LA FABRICABILITÉ
Abrégé
(EN)
Described herein is a method for determining a patterning device pattern. The method includes obtaining (i) an initial patterning device pattern having at least one feature, and (ii) a desired feature size of the at least one feature, obtaining, based on a patterning process model, the initial patterning device pattern and a target pattern for a substrate, a difference value between a predicted pattern of the substrate image by the initial patterning device and the target pattern for the substrate, determining a penalty value related the manufacturability of the at least one feature, wherein the penalty value varies as a function of the size of the at least one feature, and determining the patterning device pattern based on the initial patterning device pattern and the desired feature size such that a sum of the difference value and the penalty value is reduced.
(FR)
L'invention concerne un procédé de détermination d'un motif de dispositif de formation de motifs. Le procédé consiste à obtenir (i) un motif de dispositif de formation de motifs initial ayant au moins une caractéristique, et (ii) une taille de caractéristique souhaitée de la ou des caractéristiques, à obtenir, sur la base d'un modèle de processus de formation de motifs, le motif de dispositif de formation de motifs initial et un motif cible pour un substrat, une valeur de différence entre un motif prédit de l'image de substrat par le dispositif de formation de motifs initial et le motif cible pour le substrat, à déterminer une valeur de pénalité associée à la fabricabilité de la ou des caractéristiques, la valeur de pénalité variant en fonction de la taille de la ou des caractéristiques, et à déterminer le motif de dispositif de formation de motifs sur la base du motif de dispositif de formation de motifs initial et de la taille de caractéristique souhaitée de telle sorte qu'une somme de la valeur de différence et de la valeur de pénalité est réduite.
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