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1. WO2020108315 - CIRCUIT DE TRANSMISSION DE SIGNAL ET PROCÉDÉ, ET CIRCUIT INTÉGRÉ (IC)

Numéro de publication WO/2020/108315
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/118465
Date du dépôt international 14.11.2019
CIB
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H03K 19/0175 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
G01R 31/28 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
G01R 31/317 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
317Tests de circuits numériques
CPC
G01R 31/28
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
G01R 31/317
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
317Testing of digital circuits
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H03K 19/0175
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
Déposants
  • CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • LIN, You-Hsien
Mandataires
  • SHANGHAI SAVVY INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY
Données relatives à la priorité
201811434151.228.11.2018CN
201822026617.728.11.2018CN
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SIGNAL TRANSMISSION CIRCUIT AND METHOD, AND INTEGRATED CIRCUIT (IC)
(FR) CIRCUIT DE TRANSMISSION DE SIGNAL ET PROCÉDÉ, ET CIRCUIT INTÉGRÉ (IC)
Abrégé
(EN)
A signal transmission circuit and method for testing an integrated circuit (IC) are disclosed. The signal transmission circuit includes: an input circuit, configured to generate a first test signal in response to a first control signal and a clock signal; a transfer chain, including multiple stages of serially-connected transfer circuits, where adjacent transfer circuits in the transfer chain are connected via a through silicon via (TSV), the transfer circuit on one end of the transfer chain is connected to the input circuit, and the multiple stages of transfer circuits transfer the first test signal in stage by stage in response to the clock signal; and multiple signal output ends, where a first test signal input end of each stage of transfer circuit is correspondingly connected to one signal output end. The signal transmission circuit improves the effective utilization rate of a chip in an IC having a TSV test circuit.
(FR)
L'invention concerne un circuit de transmission de signal et un procédé de test d'un circuit intégré (IC). Le circuit de transmission de signal comprend : un circuit d'entrée, configuré pour générer un premier signal de test en réponse à un premier signal de commande et un signal d'horloge ; une chaîne de transfert, comprenant de multiples étages de circuits de transfert montés en série, des circuits de transfert adjacents dans la chaîne de transfert étant connectés par l'intermédiaire d'un trou d'interconnexion à travers le silicium (TSV), le circuit de transfert situé sur une extrémité de la chaîne de transfert étant connecté au circuit d'entrée, et les multiples étages de circuits de transfert transférant le premier signal de test étage par étage en réponse au signal d'horloge ; et de multiples extrémités de sortie de signal, une première extrémité d'entrée de signal de test de chaque étage de circuit de transfert étant connectée de manière correspondante à une extrémité de sortie de signal. Le circuit de transmission de signal améliore le taux d'utilisation efficace d'une puce dans un circuit intégré comportant un circuit de test TSV.
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