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1. WO2020108176 - AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT À BANDE ULTRA LARGE

Numéro de publication WO/2020/108176
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/112622
Date du dépôt international 22.10.2019
CIB
H03F 1/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
26Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
CPC
H03F 1/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
H03F 1/26
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
26Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
H03F 1/42
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
42Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
Déposants
  • 南京米乐为微电子科技有限公司 NANJING MILEWEI CORP [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 宋海瑞 SONG, Hairui
  • 吴建军 WU, Jianjun
  • 盖川 GAI, Chuan
Mandataires
  • 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) NANJING TAIPU PATENT AGENCY (GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201821998696.130.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ULTRA-WIDEBAND LOW-NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT À BANDE ULTRA LARGE
(ZH) 一种超宽带低噪声放大器
Abrégé
(EN)
Provided is an ultra-wideband low-noise amplifier, comprising a first bipolar transistor Q1, a second bipolar transistor Q2, a third bipolar transistor Q3, and a fourth bipolar transistor Q4. A second inductor L2 and a second resistor R2 constitute a degenerative feedback loop, performing ultra-wideband power matching and noise matching on the first bipolar transistor Q1; thus it is possible to achieve 50 ohm input impedance matching and output impedance matching within an ultra-wide frequency range of 0.5 GHz to 20 GHz, and also achieve a noise coefficient of less than 4 dB within an ultra-wide frequency range of 0.5 GHz to 20 GHz. The configuration of the circuit is simple, and the overall area of the circuit is small.
(FR)
L'invention concerne un amplificateur à faible bruit à bande ultra-large, comprenant un premier transistor bipolaire Q1, un deuxième transistor bipolaire Q2, un troisième transistor bipolaire Q3 et un quatrième transistor bipolaire Q4. Un second inducteur L2 et une seconde résistance R2 constituent une boucle de rétroaction dégénérative, réalisant une adaptation de puissance à bande ultra-large et une adaptation de bruit sur le premier transistor bipolaire Q1 ; il est ainsi possible d'obtenir une adaptation d'impédance d'entrée de 50 ohms et une adaptation d'impédance de sortie dans une plage de fréquences ultra-large de 0,5 GHz à 20 GHz, et d'obtenir également un coefficient de bruit inférieur à 4 dB dans une plage de fréquences ultra-large de 0,5 GHz à 20 GHz. La configuration du circuit est simple, et la zone globale du circuit est petite.
(ZH)
一种超宽带低噪声放大器,包括第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第三双极型晶体管Q3和第四双极型晶体管Q4。通过第二电感L2和第二电阻R2构成负反馈回路,对第一双极型晶体管Q1进行超宽带的功率匹配和噪声匹配,从而能够实现在0.5GHz~20GHz的超宽频率范围内的50欧姆输入阻抗匹配和输出阻抗匹配,也能够实现在0.5GHz~20GHz的超宽频率范围内的噪声系数低于4dB。电路结构简单,电路整体面积小。
Également publié en tant que
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