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1. WO2020108076 - APPAREIL DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICRO-ÉLÉMENTS

Numéro de publication WO/2020/108076
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108557
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
CPC
H01L 21/67
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Déposants
  • 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 KUNSHAN NEW FLAT PANEL DISPLAY TECHNOLOGY CENTER CO., LTD [CN]/[CN]
  • 昆山国显光电有限公司 KUNSHAN GO-VISIONOX OPTO-ELECTRONICS CO., LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 王岩 WANG, Yan
  • 郭双 GUO, Shuang
  • 孙建明 SUN, Jianming
Mandataires
  • 广东君龙律师事务所 GUANGDONG JUNLONG LAW FIRM
Données relatives à la priorité
201811446270.X29.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) TRANSFER APPARATUS AND TRANSFER METHOD FOR MICRO-ELEMENTS
(FR) APPAREIL DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE TRANSFERT DE MICRO-ÉLÉMENTS
(ZH) 一种微元件的转移装置及转移方法
Abrégé
(EN)
A transfer apparatus (1, 1a, 1b, 1c, 1d) and transfer method for micro-elements (3, 3a, 3b), wherein the transfer apparatus (1, 1a, 1b, 1c, 1d) comprises: a transfer substrate (10, 10a, 10b, 10c, 10d), comprising a first surface (100, 100a, 100b, 100c, 100d) and second surface (102, 102a, 102b, 102c, 102d) that are arranged facing away from one another, said first surface (100, 100a, 100b, 100c, 100d) of the transfer substrate (10, 10a, 10b, 10c, 10d) being provided with a plurality of first blind holes (104, 104a, 104b, 104c, 104d); and a control assembly (14), which separately controls the temperature of a gas inside of each of the first blind holes (104, 104a, 104b, 104c, 104d), and thereby controls the first blind holes (104, 104a, 104b, 104c, 104d) to suction or release a selected micro-element (3, 3a, 3b). The present transfer apparatus (1, 1a, 1b, 1c, 1d) of the micro-elements may implement batch transfer of the micro-elements (3, 3a, 3b), and may further implement separate operation on each micro-element (3, 3a, 3b) during a batch transfer process.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de transfert (1, 1a, 1b, 1c, 1d) et un procédé de transfert de micro-éléments (3, 3a, 3b), l'appareil de transfert (1, 1a, 1b, 1c, 1d) comprenant : un substrat de transfert (10, 10a, 10b, 10c, 10d), comprenant une première surface (100, 100a, 100b, 100c, 100d) et une seconde surface (102, 102a, 102b, 100c, 100d) du substrat de transfert (10, 10a, 10b, 10c, 10d) étant pourvue d'une pluralité de premiers trous borgnes (104, 104a, 104b, 104c, 104d); et un ensemble de commande (14), qui commande séparément la température d'un gaz à l'intérieur de chacun des premiers trous borgnes (104, 104a, 104b, 104c, 104d), et commande ainsi aux premiers trous borgnes (104, 104a, 104b, 104c, 104d) d'aspirer ou de libérer un micro-élément sélectionné (3, 3a, 3b). L'appareil de transfert (1, 1a, 1b, 1c, 1d) des micro-éléments peut mettre en œuvre un transfert par lots des micro-éléments (3, 3a, 3b), et peut en outre mettre en œuvre une opération séparée sur chaque micro-élément (3, 3a, 3b) pendant un processus de transfert par lots.
(ZH)
一种微元件(3、3a、3b)的转移装置(1、1a、1b、1c、1d)及转移方法,所述转移装置(1、1a、1b、1c、1d)包括:转移基板(10、10a、10b、10c、10d),包括相背设置的第一表面(100、100a、100b、100c、100d)和第二表面(102、102a、102b、102c、102d),所述转移基板(10、10a、10b、10c、10d)的所述第一表面(100、100a、100b、100c、100d)设有多个第一盲孔(104、104a、104b、104c、104d);控制组件(14),独立控制每个所述第一盲孔(104、104a、104b、104c、104d)内气体的温度,进而控制所述第一盲孔(104、104a、104b、104c、104d)吸附或者释放选定的所述微元件(3、3a、3b)。该微元件的转移装置(1、1a、1b、1c、1d)能够实现对微元件(3、3a、3b)进行批量转移,进一步能够在批量转移过程中实现对每一颗微元件(3、3a、3b)进行单独操作。
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