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1. WO2020108071 - DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/108071
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108337
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 51/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
CPC
H01L 51/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
Déposants
  • TCL科技集团股份有限公司 TCL TECHNOLOGY GROUP CORPORATION [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 程陆玲 CHENG, Luling
  • 杨一行 YANG, Yixing
Mandataires
  • 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) JOHNSON INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SHENZHEN)
Données relatives à la priorité
201811432412.728.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINTS QUANTIQUES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种量子点发光二极管及其制备方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are a quantum dot light-emitting diode and a manufacturing method therefor. The quantum dot light-emitting diode comprises a cathode (50), an anode (20) and a quantum dot light-emitting layer (30) between the cathode (50) and the anode (20), wherein an electron-transporting layer (40) is further arranged between the cathode (50) and the quantum dot light-emitting layer (30), and the material of the electron-transporting layer (40) is a mixed material constituted of a PAMAM dendrimer and a nano metal oxide. Since a PAMAM dendrimer is not only a σ donor but is also a π donor, the PAMAM dendrimer thus has a certain electron-transporting capability; however, since the PAMAM dendrimer itself does not have a free electron, the electron-transporting capability thereof is relatively weak compared with that of a metal oxide. Taking a mixed material constituted of a PAMAM dendrimer and a nano metal oxide as the material of the electron-transporting layer (40) can lower the electron mobility of the quantum dot light-emitting diode, so as to make the electron hole injection rate of the quantum dot light-emitting diode achieve a balance, thereby improving the light-emitting efficiency of the quantum dot light-emitting diode.
(FR)
L'invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques et son procédé de fabrication. La diode électroluminescente à points quantiques comprend une cathode (50), une anode (20) et une couche électroluminescente à points quantiques (30) entre la cathode (50) et l'anode (20), une couche de transport d'électrons (40) étant en outre disposée entre la cathode (50) et la couche électroluminescente à points quantiques (30), et le matériau de la couche de transport d'électrons (40) étant un matériau mixte constitué d'un dendrimère PAMAM et d'un nano-oxyde métallique. Étant donné qu'un dendrimère PAMAM n'est pas seulement un donneur σ mais est également un donneur π, le dendrimère PAMAM présente ainsi une certaine capacité de transport d'électrons ; cependant, puisque le dendrimère PAMAM lui-même n'a pas d'électron libre, sa capacité de transport d'électrons est relativement faible par rapport à celle d'un oxyde métallique. Prendre un matériau mixte constitué d'un dendrimère PAMAM et d'un nano-oxyde métallique comme matériau de couche de transport d'électrons (40) peut abaisser la mobilité d'électrons de la diode électroluminescente à points quantiques, de manière à permettre au taux d'injection de trous d'électrons de la diode électroluminescente à points quantiques d'atteindre un équilibre, ce qui permet d'améliorer l'efficacité d'émission de lumière de la diode électroluminescente à points quantiques.
(ZH)
一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括阴极(50)、阳极(20)以及设置在所述阴极(50)和阳极(20)之间的量子点发光层(30),所述阴极(50)和量子点发光层(30)之间还设置有电子传输层(40),所述电子传输层(40)材料为由PAMAM树形分子和纳米金属氧化物组成的混合材料。由于PAMAM树形分子既是σ给予体又是π给予体,这使得PAMAM树形分子具有一定的电子传输能力,但是由于PAMAM树形分子本身不具有自由电子,因此其电子传输能力相对金属氧化物而言较弱。采用由PAMAM树形分子和纳米金属氧化物组成的混合材料作为电子传输层(40)材料,可降低量子点发光二极管的电子迁移率,从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡,进而提高量子点发光二极管的发光效率。
Également publié en tant que
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