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1. WO2020107887 - CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM CRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET ENSEMBLE PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2020/107887
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/093529
Date du dépôt international 28.06.2019
CIB
H01L 31/0216 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/0216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 31/068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 晶澳太阳能有限公司 JA SOLAR CO., LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 尹海鹏 YIN, Haipeng
  • 单伟 SHAN, Wei
  • 汤坤 TANG, Kun
Mandataires
  • 上海华诚知识产权代理有限公司 WATSON & BAND INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201821965911.827.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL AND PREPARATION METHOD THEREFOR, AND PHOTOVOLTAIC ASSEMBLY
(FR) CELLULE SOLAIRE EN SILICIUM CRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET ENSEMBLE PHOTOVOLTAÏQUE
(ZH) 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件
Abrégé
(EN)
The present disclosure relates to the technical field of solar cells, and relates to a crystalline silicon solar cell and a preparation method therefor, and a photovoltaic assembly. The crystalline silicon solar cell comprises a crystalline silicon substrate, a passivation layer that is disposed on the crystalline silicon substrate and that is provided with through holes, a carrier collection layer that is disposed on the passivation layer, and electrodes that contact the carrier collection layer; the carrier collection layer contacts the crystalline silicon substrate by means of the through holes on the passivation layer. In the described crystalline silicon solar cell, through holes are provided on the passivation layer, and the carrier collection layer contacts the crystalline silicon substrate by means of the through holes on the passivation layer. On the basis of ensuring a good surface passivation effect, carriers may pass through interfaces at which the crystalline silicon substrate and the carrier collection layer contact and be collected by the electrodes, thereby achieving more effective carrier transmission, reducing the series resistance of the crystalline silicon solar cell, improving the fill factor of the crystalline silicon solar cell, and improving the photo-electric conversion efficiency of the crystalline silicon solar cell.
(FR)
La présente invention se rapporte au champ technique des cellules solaires, et se rapporte à une cellule solaire en silicium cristallin et à son procédé de préparation, et à un ensemble photovoltaïque. La cellule solaire en silicium cristallin comprend un substrat de silicium cristallin, une couche de passivation qui est disposée sur le substrat de silicium cristallin et qui comporte des trous traversants, une couche de collecte de porteurs de charges qui est disposée sur la couche de passivation, et des électrodes qui sont en contact avec la couche de collecte de porteurs de charges ; la couche de collecte de porteurs de charges est en contact avec le substrat de silicium cristallin au moyen des trous traversants sur la couche de passivation. Dans la cellule solaire en silicium cristallin, des trous traversants sont réalisés sur la couche de passivation, et la couche de collecte de porteurs de charges est en contact avec le substrat de silicium cristallin au moyen des trous traversants sur la couche de passivation. Sur la base de l’assurance d’un bon effet de passivation de surface, des porteurs de charges peuvent traverser des interfaces auxquelles le substrat de silicium cristallin et la couche de collecte de porteurs de charge sont en contact et être collectés par les électrodes, obtenant ainsi une transmission de porteurs de charges plus efficace, réduisant la résistance en série de la cellule solaire en silicium cristallin, améliorant le facteur de remplissage de la cellule solaire en silicium cristallin, et améliorant le rendement de conversion photoélectrique de la cellule solaire en silicium cristallin.
(ZH)
本公开涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件,属于太阳能电池技术领域。其中,晶体硅太阳能电池包括晶体硅基体、设置在所述晶体硅基体上的具有通孔的钝化层、设置在所述钝化层上的载流子收集层、以及与所述载流子收集层接触的电极;所述载流子收集层通过所述钝化层上的通孔与所述晶体硅基体接触。该晶体硅太阳能电池中,在钝化层上开设通孔,并且载流子收集层通过钝化层上的通孔与晶体硅基体接触,在保证良好表面钝化效果的基础上,载流子可穿过晶体硅基体与载流子收集层接触的界面被电极收集,实现更加有效的载流子传输,降低晶体硅太阳能电池的串联电阻,提高晶体硅太阳能电池的填充因子,提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
Également publié en tant que
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