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1. WO2020107784 - PHOTODÉTECTEUR DE TRANSPORT DE PORTEURS DE CHARGE UNIDIRECTIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/107784
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/083947
Date du dépôt international 23.04.2019
CIB
H01L 31/0216 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 31/0352 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/0216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 31/0352
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 上海新微技术研发中心有限公司 SHANGHAI INDUSTRIAL ΜTECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 汪巍 WANG, Wei
  • 方青 FANG, Qing
  • 余明斌 YU, Mingbin
Mandataires
  • 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING ORIGINTELLIGENCE IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
201811428096.627.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) UNIDIRECTIONAL CARRIER TRANSPORT PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR DE TRANSPORT DE PORTEURS DE CHARGE UNIDIRECTIONNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种单向载流子传输光电探测器及其制造方法
Abrégé
(EN)
The present application provides a unidirectional carrier transport photodetector and a manufacturing method therefor. Said photodetector comprises: a cathode contact layer located on a surface of a substrate, the cathode contact layer being used for contacting with a cathode electrode; an electron collection region located on a surface of the cathode contact layer; a buffer layer located on a surface of the electron collection region; and a light absorption region located on a surface of the buffer layer, the material of the light absorption region being germanium tin, and the light absorption region absorbing light and generating electrons and holes; a barrier layer located on a surface of the light absorption region, the interface between the barrier layer and the light absorption region forming a conduction band step, and the band step preventing the electrons generated by the light absorption region from passing through the interface; and an anode contact region located on a surface of the barrier layer. The present application is beneficial for realizing transport detection of high-power and high-speed unidirectional carriers.
(FR)
La présente invention concerne un photodétecteur de transport de porteurs de charge unidirectionnel et son procédé de fabrication. Ledit photodétecteur comprend : une couche de contact de cathode située sur une surface d'un substrat, la couche de contact de cathode étant utilisée pour entrer en contact avec une électrode de cathode ; une région de collecte d'électrons située sur une surface de la couche de contact de cathode ; une couche tampon située sur une surface de la région de collecte d'électrons ; et une région d'absorption de lumière située sur une surface de la couche tampon, le matériau de la région d'absorption de lumière étant de l'étain de germanium, et la région d'absorption de lumière absorbant la lumière et générant des électrons et des trous ; une couche barrière située sur une surface de la région d'absorption de lumière, l'interface entre la couche barrière et la région d'absorption de lumière formant un étage de bande de conduction, et l'étage de bande empêchant les électrons générés par la région d'absorption de lumière de passer à travers l'interface ; et une région de contact d'anode située sur une surface de la couche barrière. La présente invention est avantageuse pour réaliser une détection de transport de porteurs de charge unidirectionnelle à haute puissance et grande vitesse.
(ZH)
本申请提供一种单向载流子传输光电探测器及其制造方法。该探测器包括:位于衬底表面的阴极接触层,所述阴极接触层用于和阴极电极接触;位于所述阴极接触层表面的电子收集区;位于所述电子收集区表面的缓冲层;位于所述缓冲层表面的光吸收区,所述光吸收区的材料为锗锡,所述光吸收区吸收光并生成电子和空穴;位于所述光吸收区表面的势垒层,所述势垒层与所述光吸收区的界面形成导带带阶,所述带阶阻止所述光吸收区生成的电子穿过所述界面;以及位于所述势垒层表面的阳极接触区。本申请有利于实现大功率高速单向载流子的传输探测。
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