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1. WO2020107766 - PUCE DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE ET APPAREIL ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2020/107766
Date de publication 04.06.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/081341
Date du dépôt international 03.04.2019
CIB
G11C 29/26 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension ou test réparti
12Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré
18Dispositifs pour la génération d'adresses; Dispositifs pour l'accès aux mémoires, p.ex. détails de circuits d'adressage
26Accès à des réseaux multiples
CPC
G11C 29/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
14Implementation of control logic, e.g. test mode decoders
G11C 29/26
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
26Accessing multiple arrays
Déposants
  • 北京知存科技有限公司 BEIJING ZHICUN (WITIN) TECHNOLOGY CORPORATION LIMITED [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 王绍迪 WANG, Shaodi
Mandataires
  • 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) HANHOW INTELLECYUAL PROPERTY
Données relatives à la priorité
201811438979.528.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) FLASH MEMORY CHIP AND CALIBRATION METHOD AND APPARATUS THEREFOR
(FR) PUCE DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ D'ÉTALONNAGE ET APPAREIL ASSOCIÉ
(ZH) 一种闪存芯片及其校准方法和装置
Abrégé
(EN)
Disclosed are a flash memory chip and a calibration method and apparatus therefor. A working array in the flash memory chip can be calibrated by using adjustable weight grades of flash memory units, specifically, at least one reference array used for calibrating the working array can be provided, and the number of flash memory units in the reference array is greater than or equal to the adjustable weight grades N of the flash memory units; initial weight values of the N flash memory units of the reference array correspond to N grades of adjustable weights of the flash memory units on a one-to-one basis, and spare flash memory units are used as redundant units for standby application; and during calibration, real-time weight values of flash memory units in the working array are calibrated according to real-time weight values and the initial weight values of the flash memory units in the reference array (S200), thereby realizing off-line updating calibration for weights of the flash memory units in the working array, compensating for the influence of electricity leakage on the weights of the flash memory units, and improving the accuracy of data storage.
(FR)
L'invention concerne une puce de mémoire flash et un procédé d'étalonnage et un appareil associé. Un réseau de travail dans la puce de mémoire flash peut être étalonné à l'aide de degrés de poids réglables d'unités de mémoire flash, plus précisément, au moins un réseau de référence utilisé pour étalonner le réseau de travail peut être fourni, et le nombre d'unités de mémoire flash dans le réseau de référence est supérieur ou égal aux N degrés de poids réglables des unités de mémoire flash ; des valeurs de poids Initiales des N unités de mémoire flash du réseau de référence correspondent à N degrés de poids réglables des unités de mémoire flash sur une base biunivoque, et des unités de mémoire flash de réserve sont utilisées en tant qu'unités redondantes pour une application en veille ; et pendant l'étalonnage, des valeurs de poids en temps réel d'unités de mémoire flash dans le réseau de travail sont étalonnées selon des valeurs de poids en temps réel et les valeurs de poids initiales des unités de mémoire flash dans le réseau de référence (S200), réalisant ainsi un étalonnage de mise à jour hors ligne pour les poids des unités de mémoire flash dans le réseau de travail, compensant l'influence de la fuite d'électricité sur les poids des unités de mémoire flash, et améliorant la précision de stockage de données.
(ZH)
一种闪存芯片及其校准方法和装置,可利用闪存单元的可调权重等级对该闪存芯片中的工作阵列进行校准,具体可通过设置用于校准工作阵列的至少一个参考阵列,并且参考阵列中的闪存单元的数量大于或等于该闪存单元的可调权重等级N;参考阵列的N个闪存单元的初始权重值与闪存单元的N级可调权重一一对应,多余的闪存单元作为冗余单元备用;校准时,根据参考阵列中闪存单元的实时权重值、初始权重值校准工作阵列中闪存单元的实时权重值(S200),以此实现工作阵列中闪存单元权重的离线更新校准,补偿了漏电现象对闪存单元权重的影响,能够提高存储数据的精度。
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