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1. WO2020096834 - DRAM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/096834
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/058802
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KUMAR, Arvind
  • PAKALA, Mahendra
  • MANHAS, Sanjeev
  • GAUTAM, Satendra Kumar
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
  • HAMMACK, Marcus W.
Données relatives à la priorité
16/243,55109.01.2019US
20184104205607.11.2018IN
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DRAM AND METHOD OF MAKING
(FR) DRAM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
Embodiments of the present disclosure generally relate to a storage device. More specifically, embodiments described herein generally relate to a dynamic random-access memory and the method of making thereof. In one embodiment, a cell array includes at least an active region and a field region adjacent to the active region. The active region includes at least one trench, a dielectric layer disposed in the trench, a first conformal layer disposed on the dielectric layer, and a conductive material disposed on the first conformal layer. The field region includes a trench, a dielectric layer disposed in the trench, a second conformal layer disposed on the dielectric layer, and a conductive material disposed on the second conformal layer. The second conformal layer has a different composition than the first conformal layer.
(FR)
Des modes de réalisation de la présente invention concernent de manière générale un dispositif de stockage. Plus spécifiquement, des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement une mémoire vive dynamique et son procédé de fabrication. Dans un mode de réalisation, un réseau de cellules comprend au moins une région active et une région de champ adjacente à la région active. La région active comprend au moins une tranchée, une couche diélectrique disposée dans la tranchée, une première couche conforme disposée sur la couche diélectrique, et un matériau conducteur disposé sur la première couche conforme. La région de champ comprend une tranchée, une couche diélectrique disposée dans la tranchée, une seconde couche conforme disposée sur la couche diélectrique, et un matériau conducteur disposé sur la seconde couche conforme. La seconde couche conforme présente une composition différente de la première couche conforme.
Également publié en tant que
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