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1. WO2020095787 - PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE PRODUCTION À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/095787
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042540
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/318 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
318composées de nitrures
C23C 16/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
04Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 鈴木 悠介 SUZUKI, Yusuke
  • 守屋 剛 MORIYA, Tsuyoshi
  • 長谷部 一秀 HASEBE, Kazuhide
  • 遠藤 篤史 ENDO, Atsushi
  • 田中 諭志 TANAKA, Satoshi
Mandataires
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
Données relatives à la priorité
2018-21006507.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FILM FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR PRODUCTION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE PRODUCTION À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 成膜方法及び半導体製造装置
Abrégé
(EN)
The present invention provides a film forming method which comprises: a step for preparing a mask suited to the measurement result of the surface state of a substrate; a step for carrying the mask in a process chamber; a step for carrying the substrate in the process chamber; and a step for forming a film on the back surface of the substrate, while having the mask arranged in the back surface of the substrate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation de film qui comprend : une étape consistant à préparer un masque approprié au résultat de mesure de l'état de surface d'un substrat ; une étape consistant à transporter le masque dans une chambre de traitement ; une étape consistant à transporter le substrat dans la chambre de traitement ; et une étape consistant à former un film sur la surface arrière du substrat, tout en ayant le masque disposé dans la surface arrière du substrat.
(JA)
基板の表面状態の測定結果に応じたマスクを準備する工程と、前記マスクを処理容器内に搬入する工程と、前記基板を前記処理容器内に搬入する工程と、前記基板の裏面に前記マスクを配置した状態で前記基板の裏面を成膜する工程と、を有する成膜方法が提供される。
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