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1. WO2020095785 - ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/095785
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042536
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 43/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10Emploi de matériaux spécifiés
H01L 21/8239 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 末光 克巳 SUEMITSU Katsumi
  • 植木 誠 UEKI Makoto
  • 盛一 正成 MORITOKI Masashige
Mandataires
  • 山本 孝久 YAMAMOTO Takahisa
  • 吉井 正明 YOSHII Masaaki
Données relatives à la priorité
2018-20933207.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 磁気抵抗素子及び半導体装置
Abrégé
(EN)
A magnetoresistive element according to the present disclosure comprises a multilayer structure 40 that is composed of at least a magnetization fixed layer, an intermediate layer and a storage layer; a first side wall 51 is formed on a lateral wall of the multilayer structure 40; a second side wall 52 is formed on the first side wall 51; the first side wall 51 is formed from an insulating material such as SiN or AlOx, which prevents entrance of hydrogen; and the second side wall 52 is formed from a hydrogen storage material such as titanium.
(FR)
La présente invention concerne un élément magnétorésistif comprenant une structure multicouche 40 composée d'au moins une couche fixe de magnétisation, d'une couche intermédiaire et d'une couche d'accumulation ; une première paroi latérale 51 étant formée sur une paroi latérale de la structure multicouche 40 ; une seconde paroi latérale 52 étant formée sur la première paroi latérale 51 ; la première paroi latérale 51 étant formée à partir d'un matériau isolant tel que le SiN ou l'AlOx, qui empêche une pénétration d'hydrogène ; et la seconde paroi latérale 52 étant formée à partir d'un matériau d'accumulation d'hydrogène tel que le titane.
(JA)
本開示の磁気抵抗素子は、少なくとも、磁化固定層、中間層及び記憶層から成る積層構造体40を有しており、積層構造体40の側壁には、第1サイドウォール51が形成されており、第1サイドウォール51上には、第2サイドウォール52が形成されており、第1サイドウォール51は、水素の侵入を阻止する絶縁材料、例えば、SiN又はAlOxから成り、第2サイドウォール52は、水素吸蔵材料、例えば、チタンから成る。
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