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1. WO2020095674 - ÉLÉMENT D’IMAGERIE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/095674
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/041454
Date du dépôt international 23.10.2019
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 星 博則 HOSHI Hironori
  • 奥山 敦 OKUYAMA Atsushi
  • 押山 到 OSHIYAMA Itaru
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2018-20788005.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D’IMAGERIE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子および製造方法、並びに電子機器
Abrégé
(EN)
The present invention pertains to an imaging element, a manufacturing method, and an electronic device configured so as to make it possible to improve the effect of reducing crosstalk. The present invention comprises: a trench section provided from the light reception surface-side of a semiconductor substrate on which are formed photoelectric conversion units that perform photoelectric conversion of light directed thereat, the trench section being provided between a plurality of the photoelectric conversion units; and a protruding section in one portion of the trench section, the protruding section being provided with at least inclined surfaces that are inclined relative to the side surfaces of the trench section such that the gap of the trench section widens. The present invention is applicable to, for example, a back-illuminated solid-state imaging element.
(FR)
La présente invention concerne un élément d’imagerie, son procédé de fabrication et un dispositif électronique configurés pour permettre d’améliorer l'effet de réduction de la diaphonie. La présente invention comprend : une section de tranchée disposée à partir du côté de surface de réception de lumière d'un substrat semi-conducteur sur lequel sont formées des unités de conversion photoélectrique qui réalisent une conversion photoélectrique de la lumière dirigée au niveau de celle-ci, la section de tranchée étant disposée entre une pluralité des unités de conversion photoélectrique ; et une section saillante dans une partie de la section de tranchée, la section saillante comprenant au moins des surfaces inclinées qui sont inclinées par rapport aux surfaces latérales de la section de tranchée de telle sorte que l'espace de la section de tranchée s'élargit. La présente invention peut s'appliquer, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteur à rétro-éclairage.
(JA)
本開示は、クロストークを低減する効果の向上を図ることができるようにする撮像素子および製造方法、並びに電子機器に関する。 照射される光を光電変換する光電変換部が形成される半導体基板の受光面側から、複数の光電変換部どうしの間に設けられたトレンチ部と、トレンチ部の一部分において、トレンチ部の間隔が広がるようにトレンチ部の側面に対して傾斜する傾斜面を少なくとも設けた突起部とを備える。本技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像素子に適用できる。
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