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1. WO2020095610 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR POUR ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT

Numéro de publication WO/2020/095610
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/039934
Date du dépôt international 10.10.2019
CIB
H01L 33/02 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 石崎 順也 ISHIZAKI Jun-ya
Mandataires
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
Données relatives à la priorité
2018-20903206.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR POUR ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 発光素子用半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention is a method for manufacturing a semiconductor substrate for a light-emitting element, having: a step for forming a selective etching layer on a starting substrate; a step for sequentially forming a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer by epitaxial growing and forming a light-emitting part; a step for bonding a support substrate and the starting substrate to obtain a bonded substrate; and a step for removing the selective etching layer by etching and removing the starting substrate from the bonded substrate, wherein the support substrate that is curved so that the bonding surface side is convex is readied, and the curvature of the support substrate is used to etch the selective etching layer gradually inwards from the outer peripheral part of the bonded substrate, whereby the starting substrate is peeled from the bonded substrate. A method for manufacturing a semiconductor substrate for a light-emitting element, in which a starting substrate is lifted off from an epitaxial functional layer by selectively etching solely the selective etching layer, whereby it becomes possible to reuse the starting substrate and reduce cost, is thereby provided.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur pour un élément électroluminescent, comprenant : une étape consistant à former une couche de gravure sélective sur un substrat de départ ; une étape consistant à former séquentiellement une première couche semi-conductrice, une couche active, et une seconde couche semi-conductrice par croissance épitaxiale et formation d'une partie électroluminescente ; une étape de liaison d'un substrat de support et du substrat de départ pour obtenir un substrat lié ; et une étape consistant à retirer la couche de gravure sélective par gravure et retrait du substrat de départ du substrat lié, le substrat de support qui est incurvé de telle sorte que le côté de surface de liaison est convexe étant préparé, et la courbure du substrat de support est utilisée pour graver progressivement la couche de gravure sélective vers l'intérieur à partir de la partie périphérique externe du substrat lié, ce par quoi le substrat de départ est décollé du substrat lié. Un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur pour un élément électroluminescent, dans lequel un substrat de départ est soulevé à partir d'une couche fonctionnelle épitaxiale par gravure sélective uniquement de la couche de gravure sélective, ce qui permet de réutiliser le substrat de départ et de réduire le coût.
(JA)
本発明は、出発基板上に選択エッチング層を形成する工程と、第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順次エピタキシャル成長により形成して発光部を形成する工程と、支持基板と、前記出発基板を接合して接合基板とする工程と、前記選択エッチング層をエッチングにより除去して前記接合基板から前記出発基板を除去する工程とを有する発光素子用半導体基板の製造方法において、接合面側が凸形状となる反りを有する支持基板を準備し、前記支持基板の前記反りを利用して前記選択エッチング層を前記接合基板の外周部から徐々に内側にエッチングすることで、前記出発基板を前記接合基板から剥離する発光素子用半導体基板の製造方法である。これにより、選択エッチング層のみを選択的にエッチングすることで出発基板をエピタキシャル機能層からリフトオフすることで出発基板の再利用が可能となり低コスト化を図ることができる発光素子用半導体基板の製造方法が提供される。
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