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1. WO2020095355 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, MODULE OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2020/095355
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2018/041093
Date du dépôt international 06.11.2018
CIB
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 小川 喜之 OGAWA Nobuyuki
Mandataires
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTICAL MODULE AND METHOD FOR PRODUCING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE, MODULE OPTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置、光モジュール及び光半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
An optical semiconductor device (90) according to the present invention is provided with: an optical semiconductor chip (1) which is obtained by forming at least one optical element (6) on a semiconductor substrate (30); and an extended wiring pattern (3) which is connected to a first electrode (38) and a second electrode (39b) of the optical element (6), and which is extended to the outside of the optical semiconductor chip (1). The first electrode (38) and the second electrode (39b) of the optical semiconductor device (90) are formed on the front surface side of the optical semiconductor chip (1); and the extended wiring pattern (3) is arranged on the surface of the optical semiconductor chip (1), or is alternatively arranged at a distance from the surface.
(FR)
Selon la présente invention, un dispositif à semi-conducteur optique (90) comprend : une puce semi-conductrice optique (1) qui est obtenue par formation d'au moins un élément optique (6) sur un substrat semi-conducteur (30) ; et un motif de câblage étendu (3) qui est connecté à une première électrode (38) et à une seconde électrode (39b) de l'élément optique (6), et qui est étendu vers l'extérieur de la puce semi-conductrice optique (1). La première électrode (38) et la seconde électrode (39b) du dispositif à semi-conducteur optique (90) sont formées sur le côté de surface avant de la puce semi-conductrice optique (1) ; et le motif de câblage étendu (3) est disposé sur la surface de la puce semi-conductrice optique (1), ou est disposé en alternance à une distance de la surface.
(JA)
光半導体装置(90)は、半導体基板(30)に少なくとも1つの光素子(6)が形成された光半導体チップ(1)と、光素子(6)の第一電極(38)及び第二電極(39b)に接続されると共に光半導体チップ(1)の外側に延伸した延伸配線パターン(3)と、を備えている。光半導体装置(90)の第一電極(38)及び第二電極(39b)は光半導体チップ(1)の表面側に形成されており、延伸配線パターン(3)は光半導体チップ(1)の表面に又は表面から離れた位置に配置されている。
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