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1. WO2020094803 - LASER À DIODE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À FAIRE FONCTIONNER UN LASER À DIODE

Numéro de publication WO/2020/094803
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/080575
Date du dépôt international 07.11.2019
CIB
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • KÖNIG, Harald
  • STOJETZ, Bernhard
  • LELL, Alfred
  • ALI, Muhammad
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2018 127 977.908.11.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) DIODENLASER UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES DIODENLASERS
(EN) DIODE LASER AND METHOD FOR OPERATING A DIODE LASER
(FR) LASER À DIODE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À FAIRE FONCTIONNER UN LASER À DIODE
Abrégé
(DE)
Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsström I0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall UH auftritt und zumindest ein Teil dieses BetriebsStroms l0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand RS erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dRS/dT|T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand RS größer als |ΔUH/I0, wobei ΔUH die Änderung des Spannungsabfalls UH am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T0 um 1 K ist.
(EN)
The diode laser (1000) comprises a laser bar having a semiconductor body (1) and an active layer (11), wherein the laser bar has a plurality of individual emitters (2). At least some individual emitters are respectively assigned a section (20) of the semiconductor body and a current regulating element (21) connected in series therewith, such that, during operation of the individual emitters as intended, an electrical operating current I0 fed to the individual emitter in each case flows completely through the assigned section of the semiconductor body and in the process a voltage drop UH occurs at the section and at least part of said operating current I0 flows through the assigned current regulating element and experiences an electrical resistance RS in the process. In the case of the individual emitters, the current regulating element assigned in each case is configured such that the resistance Rg at an operating temperature T0 has a positive temperature coefficient dRS/dT|T0. Alternatively or additionally, the resistance RS is greater than |ΔUH/I0, wherein ΔUH is the change in the voltage drop UH at the assigned section of the semiconductor body in the event of an increase in the temperature T of the individual emitter from an operating temperature T0 by 1 K.
(FR)
L’invention concerne un laser à diode (1000) qui comprend une barre laser comportant un corps semi-conducteur (1) et une région active (11), la barre laser présentant une pluralité d’émetteurs individuels (2). Une section (20) du corps semi-conducteur et un élément de réglage de puissance (21) connecté en série à la section sont respectivement associés à au moins quelques-uns des émetteurs individuels, de telle sorte que, dans des conditions de fonctionnement prévues des émetteurs individuels, un courant de fonctionnement électrique fourni à l’émetteur individuel passe entièrement par la section associée du corps semi-conducteur et ainsi, une chute de tension UH se produit au niveau de la section, et au moins une partie dudit courant de fonctionnement l0 passe par l’élément de réglage de puissance associé et est ainsi soumise à une résistance électrique RS. Au niveau des émetteurs individuels, l’élément de réglage de puissance associé est agencé de telle sorte que la résistance Rg présente un coefficient de température positif dRS/dT|T0 à une température de fonctionnement T0. De manière alternative ou complémentaire, la résistance RS est supérieure à |ΔUH/I0, ΔUH étant la variation de la chute de tension UH au niveau de la section associée du corps semi-conducteur lorsque la température (T) de l’émetteur individuel augmente à partir d’une température de fonctionnement T0 d’environ 1 K.
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