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1. WO2020094473 - DIODE LASER ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D’UN RAYONNEMENT LASER À AU MOINS DEUX FRÉQUENCES

Numéro de publication WO/2020/094473
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/079631
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
H01S 5/026 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/0625 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
062en faisant varier le potentiel des électrodes
0625dans des lasers à plusieurs sections
H01S 5/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
065Accrochage de modes; Suppression de modes; Sélection de modes
H01S 5/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
CPC
H01S 5/0261
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0261Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
H01S 5/0607
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
0607by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
H01S 5/06256
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
062by varying the potential of the electrodes
0625in multi-section lasers
06255Controlling the frequency of the radiation
06256with DBR-structure
H01S 5/06258
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
062by varying the potential of the electrodes
0625in multi-section lasers
06255Controlling the frequency of the radiation
06258with DFB-structure
H01S 5/0653
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; ; Self pulsating
0651Mode control
0653Mode suppression, e.g. specific multimode
H01S 5/1096
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1092Multi-wavelength lasing
1096in a single cavity
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • EBBECKE, Jens
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Données relatives à la priorité
10 2018 127 760.107.11.2018DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) LASERDIODE UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON LASERSTRAHLUNG MINDESTENS ZWEIER FREQUENZEN
(EN) LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING LASER RADIATION OF AT LEAST TWO FREQUENCIES
(FR) DIODE LASER ET PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D’UN RAYONNEMENT LASER À AU MOINS DEUX FRÉQUENCES
Abrégé
(DE)
Es wird eine Laserdiode (10) zur Erzeugung von Laserstrahlung (21, 22) mindestens zweier Frequenzen (f1, f2) beschrieben, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem Rippenwellenleiter (2), eine DFB-Struktur (3) oder DBR-Struktur in dem Rippenwellenleiter (2) und ein auf dem Rippenwellenleiter (2) angeordnetes piezoelektrisches Element (4) zur Erzeugung einer mechanischen Spannung in dem Rippenwellenleiter (2). Weiterhin wird ein Verfahren zur Erzeugung von Laserstrahlung (21, 22) mindestens zweier Frequenzen (f1, f2) mit der Laserdiode (10) beschrieben.
(EN)
The invention relates to a a laser diode (10) for producing laser radiation (21, 22) of at least two frequencies (f1, f2), comprising: a semiconductor body (1) having a ridge waveguide (2); a DFB structure (3) or DBR structure in the ridge waveguide (2); and a piezoelectric element (4) for producing a mechanical stress in the ridge waveguide (2), which piezoelectric element is arranged on the ridge waveguide (2). The invention further relates to a method for producing laser radiation (21, 22) of at least two frequencies (f1, f2) by means of the laser diode (10).
(FR)
L’invention concerne une diode laser (10) destinée à générer un rayonnement laser (21, 22) à au moins deux fréquences (f1, f2). La diode laser comprend un corps semi-conducteur (1) pourvu d’un guide d’onde à nervures (2), une structure DFB (3) ou une structure DBR dans le guide d’onde à nervures (2) et un élément piézoélectrique (4) disposé sur le guide d’onde à nervures (2) et destiné à générer une contrainte mécanique dans le guide d’onde à nervures (2). L’invention concerne également un procédé de génération d’un rayonnement laser (21, 22) à au moins deux fréquences (f1, f2) à l’aide de la diode laser (10).
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