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1. WO2020093593 - ÉCRAN D'AFFICHAGE, ET DISPOSITIF DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/093593
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/071770
Date du dépôt international 15.01.2019
CIB
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 29/42384
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42384for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
H01L 29/66772
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
66772Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
H01L 29/78603
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78603characterised by the insulating substrate or support
Déposants
  • 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 胡小波 HU, Xiaobo
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811331703.709.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY PANEL, AND THIN FILM TRANSISTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) ÉCRAN D'AFFICHAGE, ET DISPOSITIF DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法
Abrégé
(EN)
A display panel, and a thin film transistor device and a manufacturing method thereof. The manufacturing method comprises: forming a metal film layer on a top surface of a transparent substrate; patterning the metal film layer to form a gate pattern layer; performing planarization processing of the gate pattern layer by forming a patterned nanofiller-containing planarization layer; and forming, on the top surface of the transparent substrate, a gate insulation layer, a semiconductor layer, a source/drain electrode layer, a passivation layer and a pixel electrode layer.
(FR)
L'invention concerne un écran d'affichage, et un dispositif de transistor à couches minces et son procédé de fabrication. Le procédé de fabrication comprend : la formation d'une couche de film métallique sur une surface supérieure d'un substrat transparent ; la formation de motifs sur la couche de film métallique pour former une couche de motif de grille ; la réalisation d'un traitement de planarisation de la couche de motif de grille par formation d'une couche de planarisation contenant une nanocharge à motifs ; et la formation, sur la surface supérieure du substrat transparent, d'une couche d'isolation de grille, d'une couche semi-conductrice, d'une couche d'électrode de source/drain, d'une couche de passivation et d'une couche d'électrode de pixel.
(ZH)
一种显示面板、薄膜晶体管器件及其制造方法,所述制造方法包括:于一透明基板的顶面上形成一金属膜层;图案化所述金属膜层,以形成一栅极图案层;通过形成一图案化纳米平坦层的方式以对所述栅极图案层进行平坦化处理;以及于所述透明基板的顶面上形成栅极绝缘层、半导体层、源/漏电极层、钝化层及像素电极层。
Également publié en tant que
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