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1. WO2020093475 - PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN PANNEAU D’AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/093475
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/117731
Date du dépôt international 27.11.2018
CIB
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
CPC
H01L 27/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
Déposants
  • 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 胡小波 HU, Xiaobo
Mandataires
  • 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT & TRADEMARK AGENCY
Données relatives à la priorité
201811312166.106.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING METHOD FOR DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN PANNEAU D’AFFICHAGE
(ZH) 显示面板的制造方法
Abrégé
(EN)
A manufacturing method for a display panel. A titanium layer (251) is provided on a semiconductor oxide layer (24) to serve as an etch stop layer; and after the etching, oxygen ions (261) are doped into the titanium layer (251) by means of ion implantation, so that an electrically insulating titanium dioxide layer (28) is formed by the titanium layer (251) located on the semiconductor oxide layer (24), so as to form a plurality of thin film transistors (26).
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication pour un panneau d’affichage. Une couche de titane (251) est déposée sur une couche d’oxyde de semi-conducteur (24) pour servir de couche d’arrêt de gravure ; et après la gravure, des ions d’oxygène (261) sont dopés dans la couche de titane (251) au moyen d’une implantation d’ions de sorte qu’une couche de dioxyde de titane électriquement isolante (28) est formée par la couche de titane (251) située sur la couche d’oxyde de semi-conducteur (24) afin de former une pluralité de transistors à couches minces (26).
(ZH)
一种显示面板的制造方法,通过设置钛层(251)在半导体氧化物层(24)上作为蚀刻阻挡层,并且在蚀刻后再通过离子布植将氧离子(261)掺杂到钛层(251)中,以使位在半导体氧化物层(24)上的钛层(251)形成电性绝缘的二氧化钛层(28),进而形成多个薄膜晶体管(26)。
Également publié en tant que
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