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1. WO2020093228 - PROCÉDÉS D'EMBALLAGE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2020/093228
Date de publication 14.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2018/114107
Date du dépôt international 06.11.2018
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • CAO, Peiyan
  • LIU, Yurun
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PACKAGING METHODS OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉS D'EMBALLAGE DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
Disclosed herein is a method comprising: forming a first electrically conductive layer on a first surface of a substrate of semiconductor, wherein the first electrically conductive layer is in electrical contact with the semiconductor; bonding, at the first electrically conductive layer, a support wafer to the substrate of semiconductor; thinning the substrate of semiconductor.
(FR)
L'invention concerne un procédé consistant à : former une première couche électroconductrice sur une première surface d'un substrat de semi-conducteur, la première couche électroconductrice étant en contact électrique avec le semi-conducteur ; lier, au niveau de la première couche électroconductrice, une tranche de support au substrat de semi-conducteur ; amincir le substrat de semi-conducteur.
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