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1. WO2020092722 - PROCÉDÉ D'OBTENTION D'UNE SURFACE LISSE AVEC SURCROISSANCE LATÉRALE ÉPITAXIALE

Numéro de publication WO/2020/092722
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/059086
Date du dépôt international 31.10.2019
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 33/46 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01S 5/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
Déposants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US]/[US]
Inventeurs
  • KAMIKAWA, Takeshi
  • GANDROTHULA, Srinivas
Mandataires
  • GATES, George H.
Données relatives à la priorité
62/753,22531.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF OBTAINING A SMOOTH SURFACE WITH EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
(FR) PROCÉDÉ D'OBTENTION D'UNE SURFACE LISSE AVEC SURCROISSANCE LATÉRALE ÉPITAXIALE
Abrégé
(EN)
A method for obtaining a smooth surface of an epi-layer with epitaxial lateral overgrowth. The method does not use mis-cut orientations and does not suppress the occurrence of pyramidal hillocks, but instead embeds the pyramidal hillocks in the epi-layer. A growth restrict mask is used to limit the expansion of the pyramidal hillocks in a lateral direction. The surface of the epi-layer becomes extremely smooth due to the disappearance of the pyramidal hillocks.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'obtention d'une surface lisse d'une couche épitaxiale présentant une surcroissance latérale épitaxiale. Le procédé n'utilise pas d'orientations désorientées et ne supprime pas l'apparition de collines pyramidales, mais incorpore à la place les collines pyramidales dans la couche épitaxiale. Un masque de limitation de croissance est utilisé pour limiter l'expansion des collines pyramidales dans une direction latérale. La surface de la couche épitaxiale devient extrêmement lisse en raison de la disparition des collines pyramidales.
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