Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020092393 - SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES

Numéro de publication WO/2020/092393
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/058597
Date du dépôt international 29.10.2019
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G06K 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
KRECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
9Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
CPC
B81C 1/00261
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US]/[US] (JP)
Inventeurs
  • FONSECA, Carlos A.
  • IP, Nathan
Mandataires
  • CHAKRAVARTHI, Srinivasan
Données relatives à la priorité
16/666,08728.10.2019US
62/753,15331.10.2018US
62/753,15531.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEMS AND METHODS FOR MANUFACTURING MICROELECTRONIC DEVICES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES
Abrégé
(EN)
In one embodiment, a method includes obtaining wafer measurements of a characteristic of a semiconductor wafer at each of a plurality of process steps during a semiconductor wafer fabrication process (block 811), where each of the wafer measurements is associated with a spatial location on the semiconductor wafer from which the measurement is obtained. The method may further include creating a process step fingerprint from the obtained wafer measurements for each process step (block 812). The method may further include correlating the process step fingerprint of one of the plurality of process steps to the process step fingerprint of another one of the plurality of process steps to produce a transfer function (block 813).
(FR)
Dans un mode de réalisation, un procédé comprend l'obtention de mesures de tranche d'une caractéristique d'une tranche de semi-conducteur au niveau de chacune d'une pluralité d'étapes de traitement pendant un processus de fabrication de tranche de semi-conducteur (bloc 811), chacune des mesures de tranche étant associée à un emplacement spatial sur la tranche de semi-conducteur à partir duquel la mesure est obtenue. Le procédé peut en outre comprendre la création d'une empreinte d'étape de traitement à partir des mesures de tranche obtenues pour chaque étape de traitement (bloc 812). Le procédé peut en outre comprendre la corrélation de l'empreinte d'étape de traitement de l'une de la pluralité d'étapes de traitement avec l'empreinte d'étape de traitement d'une autre étape parmi la pluralité d'étapes de traitement pour produire une fonction de transfert (bloc 813).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international