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1. WO2020092346 - PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE COBALT SUR UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/092346
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/058531
Date du dépôt international 29.10.2019
CIB
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
H01L 21/02211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02211the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
H01L 21/02373
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
H01L 21/02389
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02389Nitrides
H01L 21/02491
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02491Conductive materials
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • LEI, Wei
  • HA, Tae Hong
  • YOON, Byunghoon
  • LEI, Yu
Mandataires
  • KRENICKY, Michael W.
  • TABOADA, Alan
  • LINARDAKIS, Leonard P.
  • MOSER, JR., Raymond R.
Données relatives à la priorité
16/179,90603.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FORMING A COBALT LAYER ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE COUCHE DE COBALT SUR UN SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
Methods and apparatus for forming a cobalt layer on a substrate disposed in a process chamber are disclosed herein. In the present disclosure, exposing a substrate to a first process gas including a bonding agent in an amount sufficient to facilitate bonding or adhesion of cobalt to a first surface of the substrate; and depositing cobalt upon the first surface of the substrate to form a cobalt layer is disclosed. The use of one or more silanes or molybdenum carbonyl compositions facilitate bonding or adhesion of cobalt to a first surface of the substrate. In the present disclosure, suitable substrates include substrates that do not easily bond or adhere to cobalt, such as titanium nitrate or tantalum nitrate.
(FR)
La présente invention concerne des procédés et un appareil pour former une couche de cobalt sur un substrat disposé dans une chambre de traitement. La présente invention a pour objet l'exposition d'un substrat à un premier gaz de traitement comprenant un agent de liaison en une quantité suffisante pour faciliter la liaison ou l'adhérence de cobalt à une première surface du substrat ; et le dépôt de cobalt sur la première surface du substrat pour former une couche de cobalt. L'utilisation d'un ou de plusieurs silanes ou compositions de molybdène carbonyle facilite la liaison ou l'adhérence de cobalt à une première surface du substrat. Dans la présente invention, des substrats appropriés comprennent des substrats qui ne se lient ou adhèrent pas facilement au cobalt, tels que le nitrate de titane ou le nitrate de tantale.
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