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1. WO2020092244 - ÉLECTRODÉPOSITION DE STRUCTURES DE CUIVRE NANOMACLÉ

Numéro de publication WO/2020/092244
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/058354
Date du dépôt international 28.10.2019
CIB
C25D 5/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
18Dépôt au moyen de courant modulé, pulsé ou inversé
C25D 5/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5Dépôt électrochimique caractérisé par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
10Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
C25D 7/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
12Semi-conducteurs
C25D 3/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Dépôt électrochimique; Bains utilisés
02à partir de solutions
38de cuivre
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • BANIK II, Stephen, J.
  • BUCKALEW, Bryan, L.
  • OBERST, Justin
  • DUA, Bhuvan
  • NEUMANN, Anica, Nicole
  • PONNUSWAMY, Thomas, Anand
Mandataires
  • HO, Michael, T.
  • WEAVER, Jeffrey, K.
  • AUSTIN, James, E.
  • VILLENEUVE, Joseph, M.
  • SAMPSON, Roger, S.
  • GRIFFITH, John, F.
  • BERGIN, Denise, S.
  • SCHOLZ, Christian, D.
Données relatives à la priorité
62/753,84631.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRODEPOSITION OF NANOTWINNED COPPER STRUCTURES
(FR) ÉLECTRODÉPOSITION DE STRUCTURES DE CUIVRE NANOMACLÉ
Abrégé
(EN)
A copper structure having a high density of nanotwins is deposited on a substrate. Electroplating conditions for depositing a nanotwinned copper structure may include applying a pulsed current waveform that alternates between a constant current and no current, where a duration of no current being applied is substantially greater than a duration of a constant current being applied. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited by applying a pulsed current waveform followed by a constant current waveform. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a highly-oriented base layer, where an electroplating solution contains an accelerator additive. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited on a non-copper seed layer. In some implementations, the nanotwinned copper structure is deposited at a relatively low flow rate.
(FR)
La présente invention concerne une structure de cuivre ayant une densité élevée de nanomacles qui est déposée sur un substrat. Les conditions de dépôt électrolytique pour déposer une structure de cuivre nanomaclé peuvent comprendre l'application d'une forme d'onde de courant pulsé qui alterne entre un courant constant et aucun courant, une durée sans courant appliqué étant sensiblement supérieure à une durée avec courant constant appliqué. Dans certains modes de réalisation, la structure de cuivre nanomaclé est déposée par application d'une forme d'onde de courant pulsé suivie d'une forme d'onde de courant constant. Dans certains modes de réalisation, la structure de cuivre nanomaclé est déposée sur une couche de base hautement orientée, une solution de placage électrolytique contenant un additif accélérateur. Dans certains modes de réalisation, la structure de cuivre nanomaclé est déposée sur une couche de germe non-cuivre. Dans certains modes de réalisation, la structure de cuivre nanomaclé est déposée à un débit relativement faible.
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