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1. WO2020091936 - CHIMIE DU PLASMA GEH4/AR POUR L'AMÉLIORATION DE LA PRODUCTIVITÉ D'UN IMPLANT IONIQUE

Numéro de publication WO/2020/091936
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/053951
Date du dépôt international 01.10.2019
CIB
H01J 37/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
04Dispositions des électrodes et organes associés en vue de produire ou de commander la décharge, p.ex. dispositif électronoptique, dispositif ionoptique
08Sources d'ions; Canons à ions
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
CPC
H01J 2237/0815
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
06Sources
08Ion sources
0815Methods of ionisation
H01J 37/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
02Details
04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
08Ion sources; Ion guns
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KOO, Bon-Woong
  • SARAJLIC, Ajdin
  • JOHNSON, Ronald
  • CARBONE, Nunzio V.
  • EWING, Peter
  • DEEGAN, Mervyn
Mandataires
  • FRAME, Robert, C.
  • LEMACK, Kevin S.
Données relatives à la priorité
16/178,16701.11.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GEH4/AR PLASMA CHEMISTRY FOR ION IMPLANT PRODUCTIVITY ENHANCEMENT
(FR) CHIMIE DU PLASMA GEH4/AR POUR L'AMÉLIORATION DE LA PRODUCTIVITÉ D'UN IMPLANT IONIQUE
Abrégé
(EN)
A method for improving the beam current for certain ion beams, and particularly germanium and argon, is disclosed. The use of argon as a second gas has been shown to improve the ionization of germane, allowing the formation of a germanium ion beam of sufficient beam current without the use of a halogen. Additionally, the use of germane as a second gas has been shown to improve the beam current of an argon ion beam.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'amélioration du courant de faisceau pour certains faisceaux ioniques, et en particulier le germanium et l'argon. Il a été démontré que l'utilisation d'argon comme second gaz améliore l'ionisation de germane, permettant la formation d'un faisceau d'ions de germanium d'un courant de faisceau suffisant sans utiliser d'halogène. De plus, il a été démontré que l'utilisation de germane en tant que second gaz améliore le courant de faisceau d'un faisceau d'ions argon.
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