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1. WO2020091165 - PIXEL, DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2020/091165
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/005229
Date du dépôt international 30.04.2019
CIB
G09G 3/3233 2016.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
22utilisant des sources lumineuses commandées
30utilisant des panneaux électroluminescents
32semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes
3208organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques
3225utilisant une matrice active
3233avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H01L 51/56 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
Déposants
  • 삼성디스플레이 주식회사 SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 양태훈 YANG, Tae Hoon
  • 김기범 KIM, Ki Bum
  • 이종찬 LEE, Jong Chan
  • 정웅희 JEONG, Woong Hee
Mandataires
  • 김두식 KIM, Doo Sik
  • 오종한 OH, Jong Han
  • 문용호 MOON, Yong Ho
Données relatives à la priorité
10-2018-013353202.11.2018KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) PIXEL, DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) PIXEL, DISPOSITIF D'AFFICHAGE LE COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(KO) 화소, 이를 포함한 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
Abrégé
(EN)
A pixel may comprise: a light emitting element; a first transistor connected between a first node and the light emitting element to control the amount of current flowing from a first actuating power source of the first node to the second actuating power source through the light emitting element; a second transistor connected between a data line and the first transistor, and turned on by an i-th (i is a natural number of 2 or larger) scan signal; a third transistor connected between the first transistor and the first node, and turned on by the i-th scan signal; and a fourth transistor connected between the first node and an initialization power supply line to which initialization power is applied, and turned on by an (i-1)-th scan signal. The fourth transistor may be configured to be a tunnel field-effect transistor comprising: a source region and a drain region spaced a predetermined gap from each other and formed in opposite conductivity types; a channel region provided between the source region and the drain region; and a gate electrode provided above the channel region while a gate insulating layer is disposed between the gate electrode and the channel region.
(FR)
L'invention concerne un pixel qui peut comprendre : un élément électroluminescent ; un premier transistor connecté entre un premier nœud et l'élément électroluminescent pour commander l'intensité d'un courant circulant d'une première source de puissance d'actionnement du premier nœud à une seconde source de puissance d'actionnement par l'intermédiaire de l'élément électroluminescent ; un deuxième transistor connecté entre une ligne de données et le premier transistor, et mis à l'état passant par un i-ème (i est un entier naturel supérieur ou égal à 2) signal de balayage ; un troisième transistor connecté entre le premier transistor et le premier nœud, et mis à l'état passant par le i-ième signal de balayage ; et un quatrième transistor connecté entre le premier nœud et une ligne d'alimentation en puissance d'initialisation à laquelle une puissance d'initialisation est appliquée, et mis à l'état passant par un (i - 1)ième signal de balayage. Le quatrième transistor peut être configuré pour être un transistor à effet de champ à effet tunnel comprenant : une zone de source et une zone de drain espacées l'une de l'autre par un espace prédéterminé et formées avec des types de conductivité opposés ; une zone de canal disposée entre la zone de source et la zone de drain ; et une électrode de grille disposée au-dessus de la zone de canal tandis qu'une couche d'isolation de grille est disposée entre l'électrode de grille et la zone de canal.
(KO)
화소는, 발광 소자; 제1 노드와 상기 발광 소자 사이에 접속되어 상기 제1 노드의 제1 구동 전원으로부터 상기 발광 소자를 경유하여 상기 제2 구동 전원으로 흐르는 전류량을 제어하는 제1 트랜지스터; 데이터 선과 상기 제1 트랜지스터 사이에 접속되며, i(i는 2 이상 자연수) 번째 주사 신호에 턴-온되는 제2 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터와 상기 제1 노드 사이에 접속되고, 상기 i번째 주사 신호에 턴-온되는 제3 트랜지스터; 및 초기화 전원이 인가되는 초기화 전원 라인과 상기 제1 노드 사이에 접속되고, i-1번째 주사 신호에 턴-온되는 제4 트랜지스터를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제4 트랜지스터는 일정 간격 이격되어 반대 도전형으로 형성된 소스 영역과 드레인 영역, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 제공된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 게이트 절연층을 사이에 두고 제공된 게이트 전극을 포함하는 터널링 전계 효과 트랜지스터로 설정될 수 있다.
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