Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Goto Application

1. WO2020090870 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE

Numéro de publication WO/2020/090870
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/042524
Date du dépôt international 30.10.2019
CIB
H01L 21/338 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
338à grille Schottky
H01L 29/778 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
778avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/812 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
80l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812à grille Schottky
Déposants
  • エア・ウォーター株式会社 AIR WATER INC. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 菱木 繁臣 HISHIKI, Shigeomi
  • 川村 啓介 KAWAMURA, Keisuke
Mandataires
  • 椿 豊 TSUBAKI, Yutaka
Données relatives à la priorité
2018-20671701.11.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
(JA) 化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
Provided are a compound semiconductor device, a compound semiconductor substrate, and a method for manufacturing a compound semiconductor device with which it is possible to increase mechanical strength, improve yield during production, and implement a device having a large area. A compound semiconductor device 100 includes: a Si substrate 1 which has a shape that surrounds a hole 21 in plan view; a SiC layer 3 that is formed on a top surface 1a of the Si substrate 1 and covers the hole 21; a nitride layer 10 that includes Ga and is formed on a top surface side of the SiC layer 3; a source electrode 13 that is formed on a top surface side of the nitride layer 10; a drain electrode 15; and a gate electrode 17. The electric current that flows between the source electrode 13 and the drain electrode 15 can be controlled by a voltage applied to the gate electrode 17. The Si substrate is not present in an area RG which overlaps the source electrode 13, the drain electrode 15, and the gate electrode 17 seen from a direction orthogonal to the top surface 1a of the Si substrate 1.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur composite, un substrat semi-conducteur composite, et un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur composite permettant d'augmenter la résistance mécanique, d'améliorer le rendement pendant la production et de mettre en œuvre un dispositif ayant une grande surface. Un dispositif semi-conducteur composite 100 comprend : un substrat de Si 1 dont la forme entoure un orifice 21 dans une vue en plan ; une couche de SiC 3 qui est formée sur une surface supérieure 1a du substrat de Si 1 et recouvre l'orifice 21 ; une couche de nitrure 10 qui comprend du Ga et est formée sur un côté surface supérieure de la couche de SiC 3 ; une électrode source 13 qui est formée sur un côté surface supérieure de la couche de nitrure 10 ; une électrode de drain 15 ; et une électrode de grille 17. Le courant électrique qui circule entre l'électrode de source 13 et l'électrode de drain 15 peut être commandé par une tension appliquée à l'électrode de grille 17. Le substrat de Si n'est pas présent dans une zone RG qui chevauche l'électrode de source 13, l'électrode de drain 15 et l'électrode de grille 17 vue depuis une direction perpendiculaire à la surface supérieure 1a du substrat de Si 1.
(JA)
機械的強度を向上することができ、製造時の歩留まりを向上することができ、または大面積のデバイスを実現することができる化合物半導体装置、化合物半導体基板、および化合物半導体装置の製造方法を提供する。 化合物半導体装置100は、平面的に見た場合に穴21を取り囲む形状を有するSi基板1と、Si基板1の上面1aに形成され、かつ穴21を覆うSiC層3と、SiC層3の上面側に形成されたGaを含む窒化物層10と、窒化物層10の上面側に形成されたソース電極13、ドレイン電極15、およびゲート電極17とを備える。ソース電極13とドレイン電極15との間に流れる電流は、ゲート電極17に印加される電圧によって制御可能である。Si基板1の上面1aに対して直交する方向から見てソース電極13、ドレイン電極15、およびゲート電極17と重なる領域RGには、Si基板は存在しない。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international