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1. WO2020090384 - DISPOSITIF D'IMAGERIE

Numéro de publication WO/2020/090384
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/039744
Date du dépôt international 09.10.2019
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 斎藤 聡哲 SAITO, Sotetsu
  • 齋藤 卓 SAITO, Suguru
  • 藤井 宣年 FUJII, Nobutoshi
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2018-20276929.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
Abrégé
(EN)
Provided is an imaging device (1), comprising: an imaging element (10); and a semiconductor element (20, 30) that is provided so as to oppose the imaging element and is electrically connected to the imaging element. The semiconductor element includes: a wiring region (20A, 30A) provided in the center thereof and a peripheral region (20B, 30B) outside of the wiring region; a wiring layer (22, 32) having wiring in the wiring region; a semiconductor substrate (21, 31) that opposes the imaging element with the wiring layer interposed therebetween and that has a first surface (Sa, Sc) and a second surface (Sb, Sd) which are provided in this order from the wiring layer side; and a polishing adjustment portion (23, 33) that is made of a material having a lower polishing rate than the constituent material of the semiconductor substrate, that is disposed in at least a portion of the peripheral region, and that is provided in the semiconductor substrate in the thickness direction thereof from the second surface.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie (1), comprenant : un élément d'imagerie (10) ; et un élément semi-conducteur (20, 30) qui est disposé de façon à faire face à l'élément d'imagerie et qui est électriquement connecté à l'élément d'imagerie. L'élément semi-conducteur comprend : une région de câblage (20A, 30A) disposée au centre de ce dernier et une région périphérique (20B, 30B) à l'extérieur de la région de câblage ; une couche de câblage (22, 32) comportant un câblage dans la région de câblage ; un substrat semi-conducteur (21, 31) qui fait face à l'élément d'imagerie, la couche de câblage étant interposée entre eux, et qui comporte une première surface (Sa, Sc) et une seconde surface (Sb, Sd) qui sont disposées dans cet ordre à partir du côté couche de câblage ; et une partie de réglage de polissage (23, 33) qui est constituée d'un matériau ayant un taux de polissage inférieur à celui du matériau constitutif du substrat semi-conducteur, qui est disposée dans au moins une partie de la région périphérique, et qui est disposée dans le substrat semi-conducteur dans sa direction d'épaisseur à partir de la seconde surface.
(JA)
撮像素子(10)と、前記撮像素子に対向して設けられるとともに前記撮像素子に電気的に接続された半導体素子(20,30)とを備え、前記半導体素子は、中央部に設けられた配線領域(20A,30A)および前記配線領域の外側の周辺領域(20B,30B)と、前記配線領域に配線を有する配線層(22,32)と、前記配線層を間にして前記撮像素子に対向し、前記配線層側から順に、第1面(Sa,Sc)および第2面(Sb,Sd)を有する半導体基板(21,31)と、前記半導体基板の構成材料よりも研磨レートの低い材料により構成され、かつ、前記周辺領域の少なくとも一部に配置されるとともに、前記第2面から前記半導体基板の厚み方向に設けられた研磨調整部(23,33)とを含む撮像装置(1)を提供する。
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