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1. WO2020090281 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE COMMUNICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/090281
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/036930
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
H01L 21/338 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
338à grille Schottky
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
H01L 29/778 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
778avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 松本 一治 MATSUMOTO, Katsuji
  • 柳田 将志 YANAGITA, Masashi
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2018-20493931.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, COMMUNICATION MODULE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, MODULE DE COMMUNICATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、通信モジュール及び半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
This semiconductor device comprises: a semiconductor substrate; a channel layer formed on the semiconductor substrate; a barrier layer formed on the channel layer; a gate electrode provided on the barrier layer via a gate insulation film; a source electrode and a drain electrode provided on the channel layer with the gate electrode interposed therebetween; a substrate opening provided through the channel layer to expose the semiconductor substrate; an insulation film provided from above the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode over the inside of the substrate opening; and a wiring layer provided on the insulation film and electrically connected to any one of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode via an opening provided in the insulation film, wherein at least a portion of the substrate opening is formed in an activation region where the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are provided.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat semi-conducteur ; une couche de canal formée sur le substrat semi-conducteur ; une couche barrière formée sur la couche de canal ; une électrode de grille disposée sur la couche barrière par l'intermédiaire d'un film d'isolation de grille ; une électrode de source et une électrode de drain disposées sur la couche de canal avec l'électrode de grille interposée entre celles-ci ; une ouverture de substrat disposée à travers la couche de canal pour exposer le substrat semi-conducteur ; un film d'isolation disposé au-dessus de l'électrode de grille, l'électrode de source et l'électrode de drain sur l'intérieur de l'ouverture de substrat ; et une couche de câblage disposée sur le film d'isolation et connectée électriquement à l'une quelconque de l'électrode de grille, de l'électrode de source, et l'électrode de drain par l'intermédiaire d'une ouverture ménagée dans le film d'isolation, au moins une partie de l'ouverture de substrat étant formée dans une région d'activation où l'électrode de grille, l'électrode de source et l'électrode de drain sont disposées.
(JA)
半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の上に形成されたバリア層と、ゲート絶縁膜を介して前記バリア層の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記チャネル層の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル層を貫通して設けられ、前記半導体基板を露出させる基板開口と、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上から前記基板開口の内側にかけて設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられ、前記絶縁膜に設けられた開口を介して前記ゲート電極、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれかと電気的に接続する配線層と、を備え、前記基板開口の少なくとも一部は、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が設けられた活性化領域に形成される、半導体装置。
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