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1. WO2020088909 - SUPPORT DIÉLECTRIQUE POUR DISPOSITIFS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2020/088909
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2019/077530
Date du dépôt international 10.10.2019
CIB
H05K 1/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
18Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H05K 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1Circuits imprimés
02Détails
G06N 3/00 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
NSYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
3Systèmes de calculateurs basés sur des modèles biologiques
CPC
G06N 10/00
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
NCOMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
10Quantum computers, i.e. computer systems based on quantum-mechanical phenomena
H01L 27/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
18including components exhibiting superconductivity
H01L 39/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
025for Josephson devices
H01L 39/045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
04Containers; Mountings
045for Josephson devices
H01L 39/2493
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
39Devices using superconductivity; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
24Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of devices provided for in H01L39/00 or of parts thereof
2493for Josephson devices
H01P 1/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US]/[US]
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB]/[GB] (MG)
Inventeurs
  • GUMANN, Patryk
  • OLIVADESE, Salvatore, Bernardo
  • CHOW, Jerry
Mandataires
  • FOURNIER, Kevin
Données relatives à la priorité
16/173,72029.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DIELECTRIC HOLDER FOR QUANTUM DEVICES
(FR) SUPPORT DIÉLECTRIQUE POUR DISPOSITIFS QUANTIQUES
Abrégé
(EN)
A device includes a first substrate formed of a first material that exhibits a threshold level of thermal conductivity. The threshold level of thermal conductivity is achieved at a cryogenic temperature range in which a quantum circuit operates. In an embodiment, the device also includes a second substrate disposed in a recess of the first substrate, the second substrate formed of a second material that exhibits a second threshold level of thermal conductivity. The second threshold level of thermal conductivity is achieved at a cryogenic temperature range in which a quantum circuit operates. In an embodiment, at least one qubit is disposed on the second substrate. In an embodiment, the device also includes a transmission line configured to carry a microwave signal between the first substrate and the second substrate.
(FR)
L'invention concerne un dispositif qui comprend un premier substrat formé d'un premier matériau qui présente un niveau seuil de conductivité thermique. Le niveau seuil de conductivité thermique est obtenu à une plage de température cryogénique dans laquelle fonctionne un circuit quantique. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend également un second substrat disposé dans un évidement du premier substrat, le second substrat étant formé d'un second matériau qui présente un second niveau seuil de conductivité thermique. Le second niveau seuil de conductivité thermique est obtenu à une plage de température cryogénique dans laquelle fonctionne un circuit quantique. Dans un mode de réalisation, au moins un qubit est disposé sur le second substrat. Dans un mode de réalisation, le dispositif comprend également une ligne de transmission configurée pour transporter un signal micro-onde entre le premier substrat et le second substrat.
Également publié en tant que
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