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1. WO2020087916 - PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ISOLÉE SIMPLE

Numéro de publication WO/2020/087916
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/088145
Date du dépôt international 23.05.2019
CIB
H01L 43/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • 江苏鲁汶仪器有限公司 JIANGSU LEUVEN INSTRUMMENTS CO. LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 胡冬冬 HU, Dongdong
  • 王珏斌 WANG, Juebin
  • 蒋中原 JIANG, Zhongyuan
  • 刘自明 LIU, Ziming
  • 车东晨 CHE, Dongchen
  • 崔虎山 CUI, Hushan
  • 陈璐 CHEN, Lu
  • 任慧群 REN, Huiqun
  • 孙宏月 SUN, Hongyue
  • 许开东 XU, Kaidong
Mandataires
  • 北京得信知识产权代理有限公司 BEIJING TRUSTED INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD
Données relatives à la priorité
201811298691.202.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING METHOD FOR SINGLE-ISOLATED MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE ISOLÉE SIMPLE
(ZH) 一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法
Abrégé
(EN)
Provided is an etching method for single-isolated magnetic tunnel junction, the etching device used includes a sample loading chamber, a vacuum transition chamber, a reactive ion etching chamber, an ion beam etching chamber, a coating chamber and a vacuum transmission chamber, in the case of not interrupting the vacuum, the wafer is processed and treated in the reactive ion etching chamber, the ion beam etching chamber and the coating chamber according to specific steps. The invention can effectively improve the influence of masking effect in the production process of high-density small devices. In addition, the combination use of the ion beam etching chamber and the reactive ion etching chamber greatly reduces the metal contamination and damage of the magnetic tunnel conjunctival layer structure, greatly improves the performance and reliability of the device, and overcomes the technical problem of the prior single etching method, improving production efficiency and etching process accuracy.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure pour jonction tunnel magnétique isolée simple, le dispositif de gravure utilisé comprenant une chambre de chargement d'échantillon, une chambre de transition sous vide, une chambre de gravure ionique réactive, une chambre de gravure par faisceau ionique, une chambre de revêtement et une chambre de transmission sous vide, dans le cas de non-interruption du vide, la tranche est transformée et traitée dans la chambre de gravure ionique réactive, la chambre de gravure par faisceau ionique et la chambre de revêtement selon des étapes spécifiques. L'invention peut améliorer efficacement l'influence d'un effet de masquage dans le processus de production de petits dispositifs à haute densité. De plus, l'utilisation combinée de la chambre de gravure par faisceau ionique et de la chambre de gravure ionique réactive réduit considérablement la contamination métallique et l'endommagement de la structure de couches conjonctivales de tunnel magnétique, améliore considérablement les performances et la fiabilité du dispositif et surmonte le problème technique du procédé de gravure unique antérieur, améliorant l'efficacité de production et la précision du processus de gravure.
(ZH)
一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室,在不中断真空的情况下,在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外,离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用,大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤,极大的提高了器件的性能和可靠性,并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题,提高了生产效率和刻蚀工艺精度。
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