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1. WO2020087914 - PROCÉDÉ DE GRAVURE DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2020/087914
Date de publication 07.05.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/088098
Date du dépôt international 23.05.2019
CIB
H01L 43/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants
  • 江苏鲁汶仪器有限公司 JIANGSU LEUVEN INSTRUMENTS CO., LTD [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 刘自明 LIU, Ziming
  • 王珏斌 WANG, Juebin
  • 蒋中原 JIANG, Zhongyuan
  • 车东晨 CHE, Dongchen
  • 崔虎山 CUI, Hushan
  • 胡冬冬 HU, Dongdong
  • 陈璐 CHEN, Lu
  • 孙宏月 SUN, Hongyue
  • 韩大健 HAN, Dajian
  • 许开东 XU, Kaidong
Mandataires
  • 南京经纬专利商标代理有限公司 NANJING JINGWEI PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD
Données relatives à la priorité
201811298686.102.11.2018CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ETCHING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE
(ZH) 一种磁隧道结刻蚀方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is method for etching a magnetic tunnel junction. An etching apparatus used comprises a sample loading chamber (15), a vacuum transition chamber (14), a reactive ion and plasma etching chamber (10), an ion beam etching chamber (11), a film coating chamber (12) and a vacuum transmission chamber (13). The method comprises multiple performances of the steps of reactive ion and plasma etching, ion beam etching and film coating. Multiple performances of entry into and exit from the chambers are required during the process, and the delivery between the chambers is performed under vacuum. The method for etching the magnetic tunnel junction can overcome the bottleneck of the production of high-density small devices, broaden the selectable range of etching reactive gas, reduce metal contamination and structural damage to a side wall due to physical etching, and improve the efficiency of etching. Meanwhile, the yield and reliability of devices can be greatly improved, and the manufacturing method is simple and rapid.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure d'une jonction à effet tunnel magnétique. Un appareil de gravure est utilisé, comprenant une chambre de chargement d'échantillon (15), une chambre de transition à vide (14), une chambre de gravures ionique réactive et au plasma (10), une chambre d'attaque par faisceaux d'ions (11), une chambre de revêtement de film (12) et une chambre de transmission à vide (13). Le procédé comprend de multiples exécutions des étapes de gravures ionique réactive et au plasma, d'attaque par faisceaux d'ions et de revêtement de film. De multiples exécutions d'entrée dans les chambres et de sortie de ces dernières sont requises pendant le processus, et la fourniture entre les chambres est effectuée sous vide. Le procédé de gravure de la jonction à effet tunnel magnétique peut surmonter le goulot d'étranglement de la production de petits dispositifs à haute densité, élargir la gamme sélectionnable de gaz réactifs de gravure, réduire la contamination par les métaux et la détérioration structurelle d'une paroi latérale dus à la gravure physique, et améliorer l'efficacité de gravure. En même temps, le rendement et la fiabilité des dispositifs peuvent être considérablement améliorés, et le procédé de fabrication est simple et rapide.
(ZH)
一种磁隧道结刻蚀方法,所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室(15)、真空过渡腔室(14)、反应离子等离子体刻蚀腔室(10)、离子束刻蚀腔室(11)、镀膜腔室(12)、以及真空传输腔室(13)。本方法包括多次反应离子等离子体刻蚀、离子束刻蚀以及镀膜步骤,在上述过程需多次进出各腔室,各腔室间的传递均在真空状态下进行。该磁隧道结刻蚀方法能够克服高密度的小器件生产的瓶颈,拓宽刻蚀反应气体的可选择范围,减少物理刻蚀带来的侧壁金属沾污及结构损伤,提高刻蚀的效率,同时能够大幅提高器件的良率、可靠性,制造方法简单、快捷。
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