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1. WO2020072458 - COUCHES TAMPONS SEMI-CONDUCTRICES OPTIQUEMENT TRANSPARENTES ET STRUCTURES LES UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/072458
Date de publication 09.04.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/054014
Date du dépôt international 01.10.2019
CIB
H01L 31/0304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
0304comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0687 2012.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
0687Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/101 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
CPC
H01L 31/03046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
03046including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
H01L 31/03048
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
03046including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
03048comprising a nitride compounds, e.g. InGaN
H01L 31/0687
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0687Multiple junction or tandem solar cells
H01L 31/1013
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
1013devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
Déposants
  • ARRAY PHOTONICS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • DOWD, Philip
  • THORP, Jacob
  • SHELDON, Michael
  • SUAREZ, Ferran
Mandataires
  • SIDORIN, Yakov, S.
Données relatives à la priorité
62/740,61403.10.2018US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) OPTICALLY-TRANSPARENT SEMICONDUCTOR BUFFER LAYERS AND STRUCTURES EMPLOYING THE SAME
(FR) COUCHES TAMPONS SEMI-CONDUCTRICES OPTIQUEMENT TRANSPARENTES ET STRUCTURES LES UTILISANT
Abrégé
(EN)
Semiconductor structures including optically-transparent metamorphic buffer regions, devices employing such structures, and methods of fabrication. The optically-transparent metamorphic buffer is grown to provide a lattice constant transition between a smaller lattice constant and a larger lattice constant (or vice-versa), allowing materials with two different lattice constants to be monolithically integrated. Such buffer layer may include at least two elements from group V of the periodic table. The optically- transparent metamorphic buffer region may include digital-alloy superlattice structure (s) to confine material defects to the metamorphic buffer layer, and improve electrical properties of the metamorphic buffer layer, thereby improving the electronic properties of electronic devices such as optoelectronic devices and photovoltaic cells. Photonic devices such as solar cells and optical detectors containing such semiconductor structures.
(FR)
L'invention concerne des structures semi-conductrices comprenant des régions tampons métamorphiques optiquement transparentes, des dispositifs utilisant de telles structures et des procédés de fabrication. Le tampon métamorphique optiquement transparent est mis à croître pour fournir une transition de constante de réseau entre une constante de réseau plus petite et une constante de réseau plus grande (ou inversement), permettant à des matériaux ayant deux constantes de réseau différentes d'être intégrés de façon monolithique. Une telle couche tampon peut comprendre au moins deux éléments du groupe V du tableau périodique. La région tampon métamorphique optiquement transparente peut comprendre une ou plusieurs structures de super-réseau d'alliage numérique pour confiner des défauts de matériau à la couche tampon métamorphique et améliorer les propriétés électriques de la couche tampon métamorphique, ce qui permet d'améliorer les propriétés électroniques de dispositifs électroniques tels que des dispositifs optoélectroniques et des cellules photovoltaïques. Des dispositifs photoniques tels que des cellules solaires et des détecteurs optiques contenant de telles structures semi-conductrices sont également décrits.
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