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1. WO2020071396 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS INTERMÉDIAIRE POUR UN MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2020/071396
Date de publication 09.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/038841
Date du dépôt international 02.10.2019
CIB
H01L 35/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 35/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14utilisant des compositions inorganiques
16comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre
CPC
H01L 35/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
12Selection of the material for the legs of the junction
14using inorganic compositions
16comprising tellurium or selenium or sulfur
H01L 35/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
34Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 関 佑太 SEKI, Yuta
  • 加藤 邦久 KATO, Kunihisa
  • 武藤 豪志 MUTO, Tsuyoshi
  • 勝田 祐馬 KATSUTA, Yuma
Mandataires
  • 特許業務法人大谷特許事務所 OHTANI PATENT OFFICE
Données relatives à la priorité
2018-18835303.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING INTERMEDIATE BODY FOR THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CORPS INTERMÉDIAIRE POUR UN MODULE DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電変換モジュール用中間体の製造方法
Abrégé
(EN)
The objective of the present invention is to provide a method for manufacturing an intermediate body for a thermoelectric conversion module with which a support substrate is unnecessary, which enables an annealing process of a thermoelectric semiconductor material to be performed in a form not having a joint portion with an electrode, and which enables annealing of the thermoelectric semiconductor material to be performed at an optimal annealing temperature, and to this end the present invention provides a method for manufacturing an intermediate body for a thermoelectric conversion module, including a P-type thermoelectric element layer and an N-type thermoelectric element layer comprising thermoelectric semiconductor compositions, the method including: (A) a step of forming the P-type thermoelectric element layer and the N-type thermoelectric element layer on a substrate; (B) a step of subjecting the P-type thermoelectric element layer and the N-type thermoelectric element layer obtained in step (A) to an annealing process; (C) a step of forming a sealing material layer including a curable resin or a cured product thereof on the P-type thermoelectric element layer and the N-type thermoelectric element layer after the annealing process, obtained in step (B); and (D) a step of detaching the P-type thermoelectric element layer, the N-type thermoelectric element layer, and the sealing material layer obtained in steps (B) and (C) from the substrate.
(FR)
L'objectif de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un corps intermédiaire pour un module de conversion thermoélectrique avec lequel un substrat de support n'est pas nécessaire, qui permet de réaliser un processus de recuit d'un matériau semi-conducteur thermoélectrique sous une forme n'ayant pas de partie de jonction avec une électrode, et qui permet au recuit du matériau semi-conducteur thermoélectrique d'être effectué à une température de recuit optimale, et à cette fin la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un corps intermédiaire pour un module de conversion thermoélectrique, comprenant une couche d'élément thermoélectrique de type P et une couche d'élément thermoélectrique de type N comprenant des compositions semi-conductrices thermoélectriques, le procédé comprenant : (A) une étape de formation de la couche d'élément thermoélectrique de type P et de la couche d'élément thermoélectrique de type N sur un substrat ; (B) une étape consistant à soumettre la couche d'élément thermoélectrique de type P et la couche d'élément thermoélectrique de type N obtenues à l'étape (A) à un processus de recuit ; (C) une étape de formation d'une couche de matériau d'étanchéité comprenant une résine durcissable ou un produit durci de celle-ci sur la couche d'élément thermoélectrique de type P et la couche d'élément thermoélectrique de type N après le processus de recuit, obtenu à l'étape (B) ; et (D) une étape de détachement de la couche d'élément thermoélectrique de type P, de la couche d'élément thermoélectrique de type N, et de la couche de matériau d'étanchéité obtenues dans les étapes (B) et (C) du substrat.
(JA)
支持基板が不要であり、電極との接合部を有さない形態で熱電半導体材料のアニール処理を可能にし、最適なアニール温度で熱電半導体材料のアニールが可能となる熱電変換モジュール用中間体の製造方法を提供するものであり、熱電半導体組成物からなるP型熱電素子層及びN型熱電素子層を含む、熱電変換モジュール用中間体の製造方法であって、(A)基板上に前記P型熱電素子層及びN型熱電素子層を形成する工程、(B)前記(A)の工程で得られた前記P型熱電素子層及びN型熱電素子層をアニール処理する工程、(C)前記(B)の工程で得られたアニール処理後のP型熱電素子層及びN型熱電素子層上に硬化性樹脂、又はその硬化物を含む封止材層を形成する工程、及び(D)前記(B)及び(C)の工程で得られたP型熱電素子層及びN型熱電素子層、並びに前記封止材層を前記基板から剥離する工程、を含む。
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