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1. WO2020071361 - COMPOSITION DE FORMATION DE FILM SOUS-COUCHE DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/071361
Date de publication 09.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/038741
Date du dépôt international 01.10.2019
CIB
G03F 7/11 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
09caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C08G 59/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
20caractérisées par les composés époxydés utilisés
22Composés diépoxydés
C08G 59/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
40caractérisées par les agents de durcissement utilisés
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C08G 59/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; ; e.g. general methods of curing
20characterised by the epoxy compounds used
22Di-epoxy compounds
C08G 59/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; ; e.g. general methods of curing
40characterised by the curing agents used
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 清水 祥 SHIMIZU Shou
  • 水落 龍太 MIZUOCHI Ryuta
  • 若山 浩之 WAKAYAMA Hiroyuki
  • 染谷 安信 SOMEYA Yasunobu
Mandataires
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
Données relatives à la priorité
2018-19002405.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM SOUS-COUCHE DE RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE L'UTILISANT
(JA) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
Abrégé
(EN)
The present invention provides: a composition for forming a resist underlayer film that enables the formation of a desired resist pattern; and a method for forming a resist pattern, which uses this resist underlayer film forming composition. A resist underlayer film forming composition which contains an organic solvent and a polymer that has a structure represented by formula (1) or (2) at an end of the polymer chain. (In formula (1) and formula (2), X represents a divalent organic group; A represents an aryl group having 6-40 carbon atoms; R1 represents a halogen atom, an alkyl group having 1-40 carbon atoms or an alkoxy group having 1-40 carbon atoms; each of R2 and R3 independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group having 1-10 carbon atoms, an aryl group having 6-40 carbon atoms or a halogen atom; each of n1 and n3 independently represents an integer of 1-12; and n2 represents an integer of 0-11.)
(FR)
La présente invention concerne une composition servant à former un film sous-couche de réserve qui permet la formation d'un motif de réserve souhaité, et un procédé servant à former un motif de réserve, le procédé utilisant cette composition de formation de film sous-couche de réserve. L'invention concerne également une composition de formation de film sous-couche de réserve qui contient un solvant organique et un polymère qui a une structure représentée par la formule (1) ou (2) à une extrémité de la chaîne polymère. (Dans la formule (1) et dans la formule (2), X représente un groupe organique divalent ; A représente un groupe aryle ayant de 6 à 40 atomes de carbone ; R1 représente un atome d'halogène, un groupe alkyle ayant de 1 à 40 atomes de carbone ou un groupe alcoxy ayant de 1 à 40 atomes de carbone ; chaque R2 et R3 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle éventuellement substitué ayant de 1 à 10 atomes de carbone, un groupe aryle ayant de 6 à 40 atomes de carbone ou un atome d'halogène ; chaque n1 et n3 représente indépendamment un nombre entier de 1 à 12 ; et n2 représente un nombre entier de 0 à 11.)
(JA)
本発明は、所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供すること。 下記式(1)又は(2)で表される構造を、ポリマー鎖の末端に有するポリマー及び有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物。(上記式(1)及び式(2)中、Xは2価の有機基であり、Aは炭素原子数6乃至40のアリール基であり、Rはハロゲン原子、炭素原子数1乃至40のアルキル基又は炭素原子数1乃至40のアルコキシ基であり、R及びRは各々独立に水素原子、置換されてもよい炭素原子数1乃至10のアルキル基、炭素原子数6乃至40のアリール基又はハロゲン原子であり、n1及びn3は各々独立に1乃至12の整数であり、n2は0乃至11の整数である。)
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