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1. WO2020071083 - DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET MODULE PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2020/071083
Date de publication 09.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/035888
Date du dépôt international 12.09.2019
CIB
H01L 31/043 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
043Cellules photovoltaïques empilées mécaniquement
H01L 31/05 2014.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
05Moyens d’interconnexion électrique entre les cellules PV à l’intérieur du module PV, p.ex. connexion en série de cellules PV
CPC
H01L 31/043
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
043Mechanically stacked PV cells
H01L 31/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
Déposants
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 寺下 徹 TERASHITA Toru
  • 中村 淳一 NAKAMURA Junichi
  • 小島 広平 KOJIMA Kohei
Mandataires
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
Données relatives à la priorité
2018-18756402.10.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND PHOTOVOLTAIC MODULE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET MODULE PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール
Abrégé
(EN)
Provided is a photovoltaic device with which it is possible to achieve an increase in output and an improvement in design. A photovoltaic device 1 is provided with a plurality of photovoltaic cells 2. Of adjacent photovoltaic cells among the plurality of photovoltaic cells, part of one photovoltaic cell 2 on one main surface side on one end side overlaps under part of the other photovoltaic cell 2 on the other main surface side on the other end side. The photovoltaic cells 2 are back junction type photovoltaic cells including a p-type semiconductor layer 25 and an n-type semiconductor layer 35 which are formed on the other main surface side of a semiconductor substrate 11. The p-type semiconductor layer 25 and the n-type semiconductor layer 35 include a plurality of branch pattern parts 25f and 35f and trunk pattern parts 25b and 35b, respectively. The trunk pattern part 25b of the p-type semiconductor layer 25 is arranged on the one end side of the photovoltaic cell 2, and part or all of the trunk pattern part 25b of the p-type semiconductor layer 25 is arranged in an overlapping region Ro in which the adjacent photovoltaic cells partially overlap with each other.
(FR)
L'invention concerne un dispositif photovoltaïque avec lequel il est possible d'obtenir une augmentation de la sortie et une amélioration de la conception. Un dispositif photovoltaïque 1 comporte une pluralité de cellules photovoltaïques 2. Parmi les cellules photovoltaïques adjacentes, parmi la pluralité de cellules photovoltaïques, une partie d'une cellule photovoltaïque 2 sur un côté de surface principale sur un côté d'extrémité chevauche une partie de l'autre cellule photovoltaïque 2 sur l'autre côté de surface principale sur l'autre côté d'extrémité. Les cellules photovoltaïques 2 sont des cellules photovoltaïques de type à jonction arrière comprenant une couche semi-conductrice de type p 25 et une couche semi-conductrice de type n 35 qui sont formées sur l'autre côté de surface principale d'un substrat semi-conducteur 11. La couche semi-conductrice de type p 25 et la couche semi-conductrice de type n 35 comprennent une pluralité de parties de motif de branche 25f et 35f et des parties de motif de tronc 25b et 35b, respectivement. La partie de motif de tronc 25b de la couche semi-conductrice de type p 25 est disposée sur le côté d'extrémité de la cellule photovoltaïque 2, et une partie ou la totalité de la partie de motif de jonction 25b de la couche semi-conductrice de type p 25 est disposée dans une région de chevauchement Ro dans laquelle les cellules photovoltaïques adjacentes se chevauchent partiellement les unes avec les autres.
(JA)
出力向上および意匠性の向上が可能な太陽電池デバイスを提供する。 太陽電池デバイス1は複数の太陽電池セル2を備える。複数の太陽電池セルにおける隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セル2の一方端側の一方主面側の一部は、他方の太陽電池セル2の他方端側の他方主面側の一部の下に重なっており、太陽電池セル2は、半導体基板11の他方主面側に形成されたp型半導体層25とn型半導体層35とを含む裏面接合型の太陽電池セルである。p型半導体層25およびn型半導体層35の各々は、複数の枝パターン部25f,35fと幹パターン部25b,35bとを含む。p型半導体層25の幹パターン部25bは、太陽電池セル2の一方端側に配置され、p型半導体層25の幹パターン部25bの一部または全部は、隣り合う太陽電池セルの一部同士が重なり合う重ね合わせ領域Roに配置される。
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