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1. WO2020069467 - MICRO-DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS

Numéro de publication WO/2020/069467
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/053694
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/24 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
24de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
CPC
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24of the light emitting region, e.g. non-planar junction
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/382
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
382the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Déposants
  • LUMILEDS HOLDING B.V. [NL]/[NL]
  • LUMILEDS LLC [US]/[US] (PH)
Inventeurs
  • DIMITROPOULOS, Costas
  • YI, Sungsoo
  • EPLER, John Edward
  • HAN, Byung-Kwon
Mandataires
  • SMIRK, Rebecca A.
Données relatives à la priorité
16/144,75127.09.2018US
16/584,94126.09.2019US
18209260.129.11.2018EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MICRO LIGHT EMITTING DEVICES
(FR) MICRO-DISPOSITIFS ÉLECTROLUMINESCENTS
Abrégé
(EN)
Techniques, devices, and systems are disclosed and include LEDs with a first flat region, at a first height from an LED base and including a plurality of epitaxial layers including a first n-layer, a first active layer, and a first p-layer. A second flat region is provided, at a second height from the LED base and parallel to the first flat region, and includes at least a second n-layer. A sloped sidewall connecting the first flat region and the second flat region is provided and includes at least a third n-layer, the first n-layer being thicker than at least a portion of third n-layer. A p-contact is formed on the first p-layer and an n-contact formed on the second n-layer.
(FR)
L'invention concerne des techniques, des dispositifs et des systèmes qui comprennent des DEL dotés d'une première région plate, à une première hauteur à partir d'une base de DEL et comprenant une pluralité de couches épitaxiales comprenant une première couche n, une première couche active et une première couche p. Une seconde région plate est pourvue, à une seconde hauteur à partir de la base de DEL et parallèle à la première région plate, et comprend au moins une seconde couche n. Une paroi latérale inclinée reliant la première région plate et la seconde région plate est pourvue et comprend au moins une troisième couche n, la première couche n étant plus épaisse qu'au moins une partie de la troisième couche n. Un contact p est formé sur la première couche p et un contact n formé sur la seconde couche n.
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