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1. WO2020067215 - ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DE GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2020/067215
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037707
Date du dépôt international 25.09.2019
CIB
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
C23C 16/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
34Nitrures
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 33/14 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
14ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
CPC
C23C 16/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
34Nitrides
H01L 21/205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
205using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 33/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
14with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 渡邉 康弘 WATANABE Yasuhiro
Mandataires
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
Données relatives à la priorité
2018-18455528.09.2018JP
2019-17455625.09.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DE GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) III族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention addresses the problem of providing: a III nitride semiconductor light-emitting element, which allows a change in light-emitting output over time to be suppressed and has excellent light-emitting output in comparison with the prior art; and a method for producing the same. The III nitride semiconductor light-emitting element 100 according to the present invention has a light emission wavelength of 200-350 nm, and comprises, in the following order, an n-type layer 30, a light-emitting layer 40, an electronic block layer 60 and a p-type contact layer 70. The electronic block layer 60 has a co-doped region layer 60c. The p-type contact layer 60 is a p-type AlxGa1-xN (0 ≦ x ≦ 0.1). The thickness of the p-type contact layer 60 is 300 nm or more.
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture : d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure de groupe III, qui permet de supprimer toute variation de la sortie électroluminescente dans le temps et qui présente une excellente sortie électroluminescente par rapport à l'état de la technique ; et de son procédé de production. L'élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure de groupe III 100 selon la présente invention a une longueur d'onde d'émission de lumière de 200 à 350 nm, et comprend, dans l'ordre suivant, une couche de type n 30, une couche électroluminescente 40, une couche de bloc électronique 60 et une couche de contact de type p 70. La couche de bloc électronique 60 est dotée d'une couche de région co-dopée 60c. La couche de contact de type p 60 est un AlxGa1-xN de type p (0 ≦ x ≦ 0,1). L'épaisseur de la couche de contact de type p 60 est supérieure ou égale à 300 nm.
(JA)
発光出力の経時変化の抑制ができ、かつ、従来よりも優れた発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。本発明のIII族窒化物半導体発光素子100は、発光波長が200nm~350nmであり、n型層30と、発光層40と、電子ブロック層60と、p型コンタクト層70とをこの順に備え、電子ブロック層60がコドープ領域層60cを有しており、p型コンタクト層60はp型AlGa1-xN(0≦x≦0.1)であり、p型コンタクト層60の厚さが300nm以上である。
Également publié en tant que
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