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1. WO2020067179 - PROCÉDÉ DE GRAVURE

Numéro de publication WO/2020/067179
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037634
Date du dépôt international 25.09.2019
CIB
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 光成 正 MITSUNARI, Tadashi
  • 野呂 尚孝 NORO, Naotaka
  • 守屋 剛 MORIYA, Tsuyoshi
Mandataires
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
Données relatives à la priorité
2018-18331928.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
Abrégé
(EN)
This etching method comprises a modification step and a removal step. In the modification step, a fluorine-containing gas is supplied to an object to be processed having an silicon oxide film, so that a modification layer is formed on the surface of the silicon oxide film. In the removal step, the object to be processed, on which the modification layer has been formed, is exposed to plasma of a gas that contains ammonia, so that the modification layer is removed from the object to be processed. In addition, the modification step and the removal step are alternately repeated a plurality of times.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure comprenant une étape de modification et une étape de retrait. Dans l'étape de modification, un gaz contenant du fluor est fourni à un objet à traiter ayant un film d'oxyde de silicium, de telle sorte qu'une couche de modification est formée sur la surface du film d'oxyde de silicium. Dans l'étape de retrait, l'objet à traiter, sur lequel la couche de modification a été formée, est exposé au plasma d'un gaz qui contient de l'ammoniac, de telle sorte que la couche de modification est retirée de l'objet à traiter. De plus, l'étape de modification et l'étape de retrait sont répétées en alternance une pluralité de fois.
(JA)
エッチング方法は、改質工程と、除去工程とを含む。改質工程では、シリコン酸化膜を有する被処理体にフッ素含有ガスを供給することにより、シリコン酸化膜の表面に改質層が形成される。除去工程では、改質層が形成された被処理体を、アンモニアを含むガスのプラズマに晒すことにより、被処理体から改質層が除去される。また、改質工程と除去工程とは、交互に複数回繰り返される。
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