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1. WO2020066956 - CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI

Numéro de publication WO/2020/066956
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037135
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
Déposants
  • JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 正能 大起 SHONO,Daiki
  • 村田 周平 MURATA,Shuhei
  • 岡部 岳夫 OKABE,Takeo
Mandataires
  • アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL
Données relatives à la priorité
2018-18053126.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a metal cylindrical sputtering target that can reduce the amount of particles. The sputtering target is cylindrical, comprises at least a target material constituted from one or several metallic elements, and has a grain size of 10 μm.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation, laquelle est de forme cylindrique et constituée d'un matériau métallique, et dans laquelle le nombre de particules est réduit. Plus spécifiquement, cette cible de pulvérisation est de forme cylindrique et comporte au moins un matériau de cible, ce dernier étant constitué d'un ou de plusieurs éléments métalliques pour lesquels la taille de grain est inférieure ou égale à 10 μm.
(JA)
金属材料の円筒形スパッタリングターゲットであって、パーティクルを低減させたスパッタリングターゲットを提供すること。スパッタリングターゲットは、円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットは、ターゲット材を少なくとも備え、ターゲット材は、1又は複数の金属元素からなり、結晶粒径が10μm以下である。
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