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1. WO2020066930 - DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2020/066930
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037070
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
H01L 41/187 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16Emploi de matériaux spécifiés
18pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187Compositions céramiques
C23C 14/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
08Oxydes
H01L 41/053 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02Détails
04d'éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
053Montures, supports, enveloppes ou boîtiers
H01L 41/316 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316par dépôt en phase vapeur
H01L 41/319 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
319à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
CPC
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
H01L 41/053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
053Mounts, supports, enclosures or casings
H01L 41/187
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
187Ceramic compositions ; , i.e. synthetic inorganic polycrystalline compounds incl. epitaxial, quasi-crystalline materials
H01L 41/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
316by vapour phase deposition
H01L 41/319
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
319using intermediate layers, e.g. for growth control
Déposants
  • 日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 中村 大輔 NAKAMURA, Daisuke
  • 永岡 直樹 NAGAOKA, Naoki
  • 黒瀬 愛美 KUROSE, Manami
  • 待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu
Mandataires
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
Données relatives à la priorité
2018-18555028.09.2018JP
2019-06163027.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PIEZOELECTRIC DEVICE, AND PIEZOELECTRIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
Abrégé
(EN)
In order to improve optical characteristics and/or piezoelectric characteristics in a piezoelectric device, this piezoelectric device comprises a first electrode layer, a second electrode layer, and at least one piezoelectric layer arranged between the first electrode and the second electrode. The piezoelectric layer has a Wurtzite-type crystal material as the main component, and one or more elements are added that are transparent when forming an oxide; the haze value is less than or equal to 3.0%, and the transmittance of 380 nm wavelength light is greater than or equal to 50%.
(FR)
Afin d'améliorer les caractéristiques optiques et/ou les caractéristiques piézoélectriques dans un dispositif piézoélectrique, ce dispositif piézoélectrique comprend une première couche d'électrode, une seconde couche d'électrode et au moins une couche piézoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode. La couche piézoélectrique a un matériau cristallin de type Wurtzite en tant que composant principal, et un ou plusieurs éléments sont ajoutés et sont transparents lors de la formation d'un oxyde ; la valeur de trouble est inférieure ou égale à 3,0 % et la transmittance de la lumière de longueur d'onde de 380 nm est supérieure ou égale à 50 %.
(JA)
圧電デバイスにおいて光学特性と圧電特性の少なくとも一方を改善する。圧電デバイスは、第1の電極層と、第2の電極層と、前記第1の電極と第2の電極の間に配置される少なくとも1層の圧電体層と、を有し、前記圧電体層は、ウルツ鉱型の結晶材料を主成分とし、酸化物となることで透明性を有する元素が1種類以上添加されており、ヘイズ値が3.0%以下であり、波長380nmの光に対する透過率が50%以上である。
Également publié en tant que
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