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1. WO2020066640 - ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/066640
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/035817
Date du dépôt international 12.09.2019
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 村上 博亮 MURAKAMI Hiroaki
  • 馬 博 MA Bo
  • 菊地 裕介 KIKUCHI Yusuke
  • 束野 豊 TSUKANO Yutaka
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2018-17841425.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGE CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子、電子機器
Abrégé
(EN)
The present technology relates to an image capture element and an electronic apparatus which make it possible to expand the amount of saturation signal charge. The image capture element is provided with, in this order in a depth direction from the side of a semiconductor substrate on which a wiring layer is stacked: a first P-type impurity region; a capacity expanding portion forming a P-N junction plane from a second P-type impurity region and a first N-type impurity region; and a first N-type impurity region. In a plane of the capacity expanding portion vertically intersecting the depth direction, the second P-type impurity region is formed in stripes. In the plane of the capacity expanding portion vertically intersecting the depth direction, the stripes are formed in a direction perpendicular to the sides in which electrodes for reading accumulated charges are formed. The present technology may be applied to an image capture element, for example.
(FR)
La présente technologie concerne un élément de capture d'image et un appareil électronique qui permettent d'augmenter la quantité de charge de signal de saturation. L'élément de capture d'image comporte, dans cet ordre dans une direction de profondeur à partir du côté d'un substrat semi-conducteur sur lequel une couche de câblage est empilée : une première région d'impureté de type P ; une partie d'augmentation de capacité formant un plan de jonction P-N à partir d'une seconde région d'impureté de type P et une première région d'impureté de type N ; et une première région d'impureté de type N. Dans un plan de la partie d'extension de capacité croisant verticalement la direction de profondeur, la seconde région d'impuretés de type P est formée en bandes. Dans le plan de la partie d'extension de capacité croisant verticalement la direction de profondeur, les bandes sont formées dans une direction perpendiculaire aux côtés dans lesquels des électrodes pour lire des charges accumulées sont formées. La présente technologie peut être appliquée à un élément de capture d'image à semi-conducteur, par exemple.
(JA)
本技術は、飽和信号電荷量を拡大させることができるようにする撮像素子、電子機器に関する。 半導体基板の配線層が積層されている面側から深さ方向に順に、第1のP型不純物領域と、第2のP型不純物領域と第1のN型不純物領域とからPN接合面を形成する容量拡大部と、第1のN型不純物領域とを備える。深さ方向と垂直に交わる容量拡大部の平面において、第2のP型不純物領域は、ストライプ状に形成されている。深さ方向と垂直に交わる容量拡大部の平面において、蓄積された電荷を読み出す電極が形成されている辺に対して垂直となる方向にストライプ状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用できる。
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