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1. WO2020066591 - ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/066591
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/035485
Date du dépôt international 10.09.2019
CIB
G03F 1/32 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
32PSM atténués , p.ex. PSM ayant une partie à décalage de phase semi-transparente, PSM en demi-ton; Leur préparation
G03F 1/80 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
80Attaque chimique
H01L 21/3065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 1/80
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
80Etching
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大久保 亮 OHKUBO, Ryo
  • 前田 仁 MAEDA, Hitoshi
  • 穐山 圭司 AKIYAMA, Keishi
  • 野澤 順 NOZAWA, Osamu
Mandataires
  • 永田 豊 NAGATA, Yutaka
  • 大島 孝文 OSHIMA, Takafumi
  • 太田 司 OTA, Tsukasa
Données relatives à la priorité
2018-18176427.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MASK BLANK, TRANSFER MASK, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a mask blank (100) provided with an etching stopper film (1): that exhibits a high resistance to dry etching that uses a fluorine-based gas and that is employed when patterning a phase shift film (3); and that additionally possesses a high transmittance with respect to exposure light. The mask blank (100) is provided with a structure in which the etching stopper film (2) and the phase shift film (3) are laminated on a translucent substrate (1) in this order, wherein the phase shift film (3) is formed of a material containing silicon, the etching stopper film (2) is formed of a material containing hafnium, aluminum, and oxygen, and the oxygen deficiency rate of the etching stopper film (2) is equal to or less than 6.4%.
(FR)
L'invention concerne une ébauche de masque (100) pourvue d'un film d'arrêt de gravure (1) qui présente une résistance élevée à la gravure sèche, qui utilise un gaz à base de fluor et qui est utilisée lors de la formation d'un motif sur un film à décalage de phase (3); et qui possède également une transmittance élevée par rapport à la lumière d'exposition. L'ébauche de masque (100) est pourvue d'une structure dans laquelle le film d'arrêt de gravure (2) et le film à décalage de phase (3) sont stratifiés dans cet ordre sur un substrat translucide (1), le film à décalage de phase (3) étant formé d'un matériau contenant du silicium, le film d'arrêt de gravure (2) étant formé d'un matériau contenant de l'hafnium, de l'aluminium et de l'oxygène, et le taux d'insuffisance en oxygène du film d'arrêt de gravure (2) étant inférieur ou égal à 6,4 %.
(JA)
位相シフト膜(3)をパターニングする際に用いられるフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性が高く、さらに露光光に対する透過率が高いエッチングストッパー膜(1)を備えたマスクブランク(100)を提供する。透光性基板(1)上に、エッチングストッパー膜(2)と位相シフト膜(3)がこの順に積層された構造を備えるマスクブランク(100)であって、位相シフト膜(3)は、ケイ素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜(2)は、ハフニウム、アルミニウムおよび酸素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜(2)の酸素欠損率は、6.4%以下である。
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