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1. WO2020066433 - ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/066433
Date de publication 02.04.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/033616
Date du dépôt international 28.08.2019
CIB
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H04N 5/355 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
351Réglage du capteur SSIS en fonction de la scène, p.ex. luminosité ou mouvement dans la scène
355Réglage de la gamme dynamique
H04N 5/378 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H04N 5/355
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
351Control of the SSIS depending on the scene, e.g. brightness or motion in the scene
355Control of the dynamic range
H04N 5/3745
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 比津 和樹 HIZU, Kazuki
Mandataires
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
Données relatives à la priorité
2018-18612728.09.2018JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, SOLID-STATE IMAGING ELEMENT CONTROL METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE COMMANDE D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、固体撮像素子の制御方法および電子機器
Abrégé
(EN)
This solid-state imaging element is provided with a plurality of pixels (20a) arrayed in a 2-dimensional lattice, and a control unit (115). The pixels include: a first light-receiving element (401a) which outputs a first optical current corresponding to received light; a second light-receiving element (401b) which outputs a second optical current corresponding to received light; a conversion unit (300) which converts a current into a voltage; an output unit (320, 330) which detects an event on the basis of a change in the voltage obtained by conversion by the conversion unit, and outputs a detection signal indicating a detection result of the detection; and a switch unit (113a) which performs switching to switch the current to be converted into voltage by the conversion unit between the first optical current and the second optical current. The control unit controls the switching by the switch unit.
(FR)
La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs pourvu d'une pluralité de pixels (20a) disposés en réseau dans un réseau bidimensionnel, et d'une unité de commande (115). Les pixels comprennent : un premier élément de réception de lumière (401a) qui délivre un premier courant optique correspondant à la lumière reçue ; un second élément de réception de lumière (401b) qui délivre un second courant optique correspondant à la lumière reçue ; une unité de conversion (300) qui convertit un courant en une tension ; une unité de sortie (320, 330) qui détecte un événement sur la base d'un changement de la tension obtenue par conversion par l'unité de conversion, et délivre un signal de détection indiquant un résultat de détection de la détection ; et une unité de commutation (113a) qui effectue une commutation pour commuter le courant à convertir en tension par l'unité de conversion entre le premier courant optique et le second courant optique. L'unité de commande commande la commutation par l'unité de commutation.
(JA)
固体撮像素子は、2次元格子状に配列された複数の画素(20a)と、制御部(115)と、を備える。画素は、受光した光に応じた第1の光電流を出力する第1の受光素子(401a)と、受光した光に応じた第2の光電流を出力する第2の受光素子(401b)と、電流を電圧に変換する変換部(300)と、変換部により変換された電圧の変化に基づきイベントを検出し、検出による検出結果を示す検出信号を出力する出力部(320、330)と、変換部により電圧に変換する電流を第1の光電流と第2の光電流とで切り替える切り替えを行う切替部(113a)と、を含む。制御部は、切替部による切り替えを制御する。
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